Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 200µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 50µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ms,