Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 1Mb (128K x 8),
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 200µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 4Mb (512K x 8),
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 200µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 2Mb (264 Bytes x 1024 pages), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 8Mb (264 Bytes x 4096 pages), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 4Mb (264 Bytes x 2048 pages), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 200µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 512Kb (64K x 8),
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 8Mb (1M x 8),
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8 , 64 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 33MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 300µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 50µs,
