Lähtökokoonpano: Half Bridge (6), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 1 Ohm LS, 1 Ohm HS,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (3), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: PWM, SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 800 mOhm LS, 800 mOhm HS,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (3), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: PWM, SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Rds päällä (tyyppi): 1.5 Ohm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (3), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 1.8 Ohm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (3), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Teknologia: DMOS, Rds päällä (tyyppi): 1.5 Ohm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (3), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Teknologia: DMOS,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (3), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Teknologia: DMOS, Rds päällä (tyyppi): 1.1 Ohm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (3), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Teknologia: BCDMOS, Rds päällä (tyyppi): 500 mOhm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (4), Sovellukset: General Purpose, Käyttöliittymä: SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Teknologia: BCDMOS, Rds päällä (tyyppi): 4 Ohm LS, 6.25 Ohm HS,
Lähtökokoonpano: Half Bridge (3), Sovellukset: Bulbs, DC Motors, Resistors, Käyttöliittymä: SPI, Kuormitustyyppi: Inductive, Capacitive, Resistive, Teknologia: BCDMOS, Rds päällä (tyyppi): 1.5 Ohm LS (Max), 2 Ohm HS (Max),
