Menu
SuomiSuomi
0RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot
TC6320TG-G
Microchip Technology

TC6320TG-G

osa: 68318

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Toivomuslista
TC7920K6-G
Microchip Technology

TC7920K6-G

osa: 49864

FET-tyyppi: 2 N and 2 P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

Toivomuslista
TD9944TG-G
Microchip Technology

TD9944TG-G

osa: 65575

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 240V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Toivomuslista
TC2320TG-G
Microchip Technology

TC2320TG-G

osa: 63061

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Toivomuslista
TC6320K6-G
Microchip Technology

TC6320K6-G

osa: 71235

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Toivomuslista
TC8020K6-G-M937
Microchip Technology

TC8020K6-G-M937

osa: 11166

FET-tyyppi: 6 N and 6 P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

Toivomuslista
TC6321T-V/9U
Microchip Technology

TC6321T-V/9U

osa: 64633

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

Toivomuslista
DN2625DK6-G
Microchip Technology

DN2625DK6-G

osa: 28122

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Depletion Mode, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

Toivomuslista
TC6215TG-G
Microchip Technology

TC6215TG-G

osa: 66450

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Toivomuslista
TC8020K6-G
Microchip Technology

TC8020K6-G

osa: 8617

FET-tyyppi: 6 N and 6 P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

Toivomuslista
TC1550TG-G
Microchip Technology

TC1550TG-G

osa: 16138

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Toivomuslista
LP1030DK1-G
Microchip Technology

LP1030DK1-G

osa: 2955

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 300V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 180 Ohm @ 20mA, 7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

Toivomuslista
LN100LA-G
Microchip Technology

LN100LA-G

osa: 2875

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Cascoded), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3000 Ohm @ 2mA, 2.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 10µA,

Toivomuslista
TC8220K6-G
Microchip Technology

TC8220K6-G

osa: 47950

FET-tyyppi: 2 N and 2 P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA,

Toivomuslista