Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (528 Bytes x 8192 pages), Kellotaajuus: 66MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 6ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 256Kb (32K x 8),
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EPROM, Teknologia: EPROM - OTP, Muistin koko: 4Mb (512K x 8),
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 16Mb (256 Bytes x 8192 pages), Kellotaajuus: 66MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 8Mb (256 Bytes x 4096 pages), Kellotaajuus: 70MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 7µs, 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 20MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 32Kb (4K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 200µs,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (528 Bytes x 8192 pages), Kellotaajuus: 40MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 120µs,
