Diodit - sillan tasasuuntaajat | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

DF01S-G

osa: 119410

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan

Comchip Technology

DB101S-G

osa: 158374

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan

Comchip Technology

KBPC3504W-G

osa: 29581

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1501W-E4/51

osa: 23951

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-160MT100KPBF

osa: 1001

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT140KPBF

osa: 1188

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

EDF1CS-E3/45

osa: 100229

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 150V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF1501S-E3/45

osa: 182210

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF04SA-E3/45

osa: 160408

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40MT160PBPBF

osa: 3419

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 45A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40MT160PAPBF

osa: 2363

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.51V @ 100A,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

G5SBA60-M3/45

osa: 82159

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC25005W-E4/51

osa: 23876

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

MT5016A-BP

osa: 7040

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 12A,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

TBS22J-TP

osa: 102999

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

Micro Commercial Co

GBPC2510-BP

osa: 26206

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SCAJ05FF

osa: 772

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 50V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SC3BH1F

osa: 484

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 100V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SET111423

osa: 240

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 9A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 30mA @ 500V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SC3BH05F

osa: 406

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 30µA @ 50V,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SCBK8

osa: 370

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 38A,

Toivelistaan

Semtech Corporation

SBMC6F

osa: 1175

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 600V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P04G D2G

osa: 200

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2504 T0G

osa: 159

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P04G C2G

osa: 199

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P04G D2G

osa: 229

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5010 T0G

osa: 111

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

GBPC3510

osa: 23249

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan

IXYS

VBE26-12NO7

osa: 5119

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 32A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.73V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivelistaan

IXYS

VBO13-12NO2

osa: 4026

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 55A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1200V,

Toivelistaan

IXYS

VUE75-06NO7

osa: 3832

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 86A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.57V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 250µA @ 600V,

Toivelistaan

IXYS

VUO22-08NO1

osa: 3346

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.19V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

IXYS

VBO72-08NO7

osa: 2252

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 72A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.08V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 800V,

Toivelistaan

IXYS

VUO80-12NO1

osa: 2443

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 82A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1200V,

Toivelistaan

IXYS

VBO30-08NO7

osa: 3314

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 800V,

Toivelistaan

Sensata-Crydom

M5060SB600

osa: 1604

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 50A,

Toivelistaan