Diodit - sillan tasasuuntaajat

G3SBA80-M3/51

osa: 126255

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

EDF1CS-E3/77

osa: 186338

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 150V,

Toivelistaan

GBU4A-M3/51

osa: 91512

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

VS-111MT80KPBF

osa: 841

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivelistaan

VS-60MT80KPBF

osa: 1258

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A,

Toivelistaan

GBPC2502-E4/51

osa: 17601

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

VS-26MT100

osa: 4176

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1000V,

Toivelistaan

GBU6D-M3/45

osa: 72524

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

VS-70MT160PBPBF

osa: 1890

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 75A,

Toivelistaan

MB2S45

osa: 181176

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

GBU802 D2G

osa: 153

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

GBU15L06 D2G

osa: 196

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 960mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

TS6P06G C2G

osa: 151

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

TS20P04GHD2G

osa: 173

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

GBPC1202

osa: 26376

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

DFB2580

osa: 28865

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

ON Semiconductor

GBPC1201

osa: 26375

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

SC3AS6

osa: 154

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 18A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 18A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 18µA @ 600V,

Toivelistaan

SBR6F

osa: 1005

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 600V,

Toivelistaan

SCBA05F

osa: 959

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 50V,

Toivelistaan

SC3BH15FF

osa: 530

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 970mV @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 30µA @ 150V,

Toivelistaan

Comchip Technology

DF210-G

osa: 114479

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan

Comchip Technology

KBU1001-G

osa: 86027

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan

VUO36-16NO8

osa: 5268

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 27A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.04V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1600V,

Toivelistaan

VUO80-08NO1

osa: 2572

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 82A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 800V,

Toivelistaan

VBO30-16NO7

osa: 2904

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1600V,

Toivelistaan

VUE130-12NO7

osa: 2249

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.04V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1200V,

Toivelistaan

VUO30-18NO3

osa: 3214

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.8kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 37A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.55V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1800V,

Toivelistaan

VUO122-08NO7

osa: 3101

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 117A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.13V @ 50A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 800V,

Toivelistaan

VUO34-14NO1

osa: 2753

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 36A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.13V @ 50A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1400V,

Toivelistaan

VBO105-08NO7

osa: 1438

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 107A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.09V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 800V,

Toivelistaan