Diodit - sillan tasasuuntaajat

VS-36MB05A

osa: 11160

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1600V,

Toivelistaan

VS-130MT80KPBF

osa: 1047

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 130A,

Toivelistaan

GBPC1502W-E4/51

osa: 23913

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

EDF1BS-E3/45

osa: 107090

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan

VS-UFH60BA65

osa: 1028

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.35V @ 60A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 650V,

Toivelistaan

VS-111MT100KPBF

osa: 893

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 110A,

Toivelistaan

DF005SA-E3/45

osa: 187381

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan

VS-93MT160KS90PBF

osa: 807

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 90A,

Toivelistaan

DF08SA-E3/77

osa: 170305

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

DF02SA-E3/45

osa: 184914

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan

GBU8K-M3/45

osa: 70941

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan

GBPC2506-E4/51

osa: 17617

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan

VS-60MT100KPBF

osa: 1253

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

VS-26MB40A

osa: 11030

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

TS15P01G C2G

osa: 195

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

SBS26HREG

osa: 129

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 60V,

Toivelistaan

Taiwan Semiconductor Corporation

TS10P04G C2G

osa: 182

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan

VUO110-18NO7

osa: 1373

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.8kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 127A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.13V @ 50A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1800V,

Toivelistaan

VBO160-08NO7

osa: 1132

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 174A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.07V @ 160A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200µA @ 800V,

Toivelistaan

VUO98-08NO7

osa: 3953

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 40A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 800V,

Toivelistaan

VBO68-08NO7

osa: 5737

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 68A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.14V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 800V,

Toivelistaan

VUO52-20NO1

osa: 2085

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 54A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.13V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 2000V,

Toivelistaan

VUO82-08NO7

osa: 2317

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 88A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 800V,

Toivelistaan

VBO36-16NO8

osa: 6173

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1600V,

Toivelistaan

VBO22-16NO8

osa: 6947

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 21A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.2V @ 150A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 300µA @ 1600V,

Toivelistaan

VBE60-06A

osa: 3114

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.26V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 150µA @ 600V,

Toivelistaan

Diodes Incorporated

GBJ2008-F

osa: 26326

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan

Infineon Technologies

DDB6U180N16RRPB37BPSA1

osa: 343

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.15V @ 50A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 1600V,

Toivelistaan

SCBH05FF

osa: 931

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 970mV @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 50V,

Toivelistaan

SBR05

osa: 1031

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 50V,

Toivelistaan

SBMA1

osa: 1294

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 100V,

Toivelistaan

SC3BA2

osa: 519

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 200V,

Toivelistaan

SC3BH4F

osa: 531

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 400V,

Toivelistaan