Menu
SuomiSuomi
0RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

DBLS151GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS151GHRDG

osa: 94

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 50V,

Toivelistaan
HDBLS105G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS105G C1G

osa: 164

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
GBLA10 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA10 D2G

osa: 156

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
DBL204GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL204GHC1G

osa: 139

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 400V,

Toivelistaan
HDBLS103G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS103G C1G

osa: 109

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
DBLS105GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS105GHC1G

osa: 161

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 600V,

Toivelistaan
GBU404 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU404 D2G

osa: 175

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
GBPC15005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC15005M T0G

osa: 111

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
TS8P02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P02G D2G

osa: 154

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan
GBU15L05HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU15L05HD2G

osa: 112

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
GBPC3506 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3506 T0G

osa: 175

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
TSS4B04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B04G D2G

osa: 76

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
GBL201HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL201HD2G

osa: 169

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
GBU403HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU403HD2G

osa: 104

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
TS15P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P07G C2G

osa: 91

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan
GBLA06 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA06 D2G

osa: 152

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
GBPC2501 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2501 T0G

osa: 110

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
HDBL101G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBL101G C1G

osa: 88

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
TS25P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P05GHD2G

osa: 144

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GBPC2506M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2506M T0G

osa: 89

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
TS6K40 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6K40 D3G

osa: 158

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
GBLA10-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA10-M3/51

osa: 126691

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
G2SB20-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB20-E3/51

osa: 112683

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
G2SB20-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

G2SB20-E3/45

osa: 120678

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 750mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
VS-70MT120KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70MT120KPBF

osa: 1124

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 70A,

Toivelistaan
GBJ2504-03-G
Comchip Technology

GBJ2504-03-G

osa: 130

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
GBU1502-G
Comchip Technology

GBU1502-G

osa: 65011

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
KBPC2506-G
Comchip Technology

KBPC2506-G

osa: 37002

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GBPC15005W-G
Comchip Technology

GBPC15005W-G

osa: 36200

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
GBU602-G
Comchip Technology

GBU602-G

osa: 71677

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
DF15005S-G
Comchip Technology

DF15005S-G

osa: 178799

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
KBPC5002-G
Comchip Technology

KBPC5002-G

osa: 30707

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
GBU604-G
Comchip Technology

GBU604-G

osa: 71608

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
GBU4B
ON Semiconductor

GBU4B

osa: 64324

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
DBF210-13
Diodes Incorporated

DBF210-13

osa: 107

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
GHXS030A120S-D1
Global Power Technologies Group

GHXS030A120S-D1

osa: 658

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Silicon Carbide Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.2kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 30A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200µA @ 1200V,

Toivelistaan