Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBS2 RCG

osa: 132

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
HDBLS104G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBLS104G C1G

osa: 81

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
GBLA01HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA01HD2G

osa: 126

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
SBS24 RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS24 RGG

osa: 144

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 40V,

Toivelistaan
GBPC1504M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1504M T0G

osa: 172

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
TS25P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P02GHD2G

osa: 134

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan
TS8P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P05GHC2G

osa: 72

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GBL206HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL206HD2G

osa: 113

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
TS35P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P05GHC2G

osa: 137

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GBPC2508W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC2508W T0G

osa: 157

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
GBPC5008M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5008M T0G

osa: 117

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan
DBLS104G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS104G C1G

osa: 78

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 400V,

Toivelistaan
DBL104GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL104GHC1G

osa: 173

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 400V,

Toivelistaan
GBPC5008 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5008 T0G

osa: 88

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan
DBLS205GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS205GHC1G

osa: 121

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 600V,

Toivelistaan
DBLS155GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS155GHC1G

osa: 133

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 600V,

Toivelistaan
TS6K40HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6K40HD3G

osa: 104

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
TS20P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS20P06G C2G

osa: 121

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan
D2SB40HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB40HD2G

osa: 140

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
TS35P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS35P06GHD2G

osa: 123

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan
GBU1001 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1001 D2G

osa: 164

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
SBS36HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS36HRGG

osa: 129

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 60V,

Toivelistaan
SBS24 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS24 REG

osa: 139

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 40V,

Toivelistaan
GBPC3501M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3501M T0G

osa: 113

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
GBL207 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL207 D2G

osa: 102

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
DBLS206GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS206GHC1G

osa: 154

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 800V,

Toivelistaan
GBJ2506-05-G
Comchip Technology

GBJ2506-05-G

osa: 136

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
MP1006G-G
Comchip Technology

MP1006G-G

osa: 62691

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
KBPC10005W-G
Comchip Technology

KBPC10005W-G

osa: 46394

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan
GBU804-G
Comchip Technology

GBU804-G

osa: 72122

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
DF1506S-G
Comchip Technology

DF1506S-G

osa: 178811

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
KBP404GTB
SMC Diode Solutions

KBP404GTB

osa: 187549

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
DB105STR
SMC Diode Solutions

DB105STR

osa: 193119

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
KMB220STR
SMC Diode Solutions

KMB220STR

osa: 102

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 200V,

Toivelistaan
CPC7556NTR
IXYS Integrated Circuits Division

CPC7556NTR

osa: 173283

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.49V @ 250mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 100V,

Toivelistaan
DF15005S
Diodes Incorporated

DF15005S

osa: 93451

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan