Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

KBPC5004-G
Comchip Technology

KBPC5004-G

osa: 30766

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
KBPC1506-G
Comchip Technology

KBPC1506-G

osa: 41196

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GBPC1501-G
Comchip Technology

GBPC1501-G

osa: 32633

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
CDBHM250L-G
Comchip Technology

CDBHM250L-G

osa: 165893

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 50V,

Toivelistaan
KBU1006-G
Comchip Technology

KBU1006-G

osa: 86011

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
CDBHM180L-HF
Comchip Technology

CDBHM180L-HF

osa: 122639

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 80V,

Toivelistaan
GBPC2510W-G
Comchip Technology

GBPC2510W-G

osa: 35800

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan
GBJ25005-05-G
Comchip Technology

GBJ25005-05-G

osa: 126

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan
KBPC1004W-G
Comchip Technology

KBPC1004W-G

osa: 46440

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
GBPC3501-G
Comchip Technology

GBPC3501-G

osa: 29609

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan
GBU8005-G
Comchip Technology

GBU8005-G

osa: 72144

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivelistaan
CDBHM120L-HF
Comchip Technology

CDBHM120L-HF

osa: 178917

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 20V,

Toivelistaan
CDBHM280L-HF
Comchip Technology

CDBHM280L-HF

osa: 102929

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 80V,

Toivelistaan
GBJ25005-04-G
Comchip Technology

GBJ25005-04-G

osa: 133

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan
GBPC1506 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1506 T0G

osa: 172

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
DBLS206GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS206GHRDG

osa: 124

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 800V,

Toivelistaan
GBU1005HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1005HD2G

osa: 93

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
DBLS152GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS152GHC1G

osa: 176

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 100V,

Toivelistaan
DBLS151G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS151G RDG

osa: 139

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 50V,

Toivelistaan
GBPC3501 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3501 T0G

osa: 115

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
GBL04 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL04 D2G

osa: 124

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
GBPC1501 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1501 T0G

osa: 146

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
DBL101GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL101GHC1G

osa: 125

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 50V,

Toivelistaan
D2SB10 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB10 D2G

osa: 95

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivelistaan
TS8P04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P04GHC2G

osa: 111

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
TS25P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P06GHC2G

osa: 140

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivelistaan
DBL152G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL152G C1G

osa: 94

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 100V,

Toivelistaan
SBS25HRGG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS25HRGG

osa: 101

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 50V,

Toivelistaan
TS8P03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P03GHD2G

osa: 172

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
GSIB2020N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2020N-M3/45

osa: 54493

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
GSIB660N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB660N-M3/45

osa: 64889

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GSIB1540N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB1540N-M3/45

osa: 54527

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
VS-2KBB60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB60

osa: 95325

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.9A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
GBLA06-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-E3/45

osa: 156244

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
DBF2510-13
Diodes Incorporated

DBF2510-13

osa: 119

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
DF1510S
Diodes Incorporated

DF1510S

osa: 61043

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan