Menu
SuomiSuomi
0RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

B2S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

B2S-E3/80

osa: 193984

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
B4S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

B4S-E3/80

osa: 136530

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
B6S-E3/80
Vishay Semiconductor Diodes Division

B6S-E3/80

osa: 112949

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 500mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
B4S-G
Comchip Technology

B4S-G

osa: 196188

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 800mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
B10S-G
Comchip Technology

B10S-G

osa: 107944

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 800mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS4002ARPPE6327HTSA1

osa: 69425

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 400mV @ 100mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 40V,

Toivelistaan
BGX50AE6327HTSA1
Infineon Technologies

BGX50AE6327HTSA1

osa: 114942

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 70V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 140mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 500V,

Toivelistaan
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAS3007ARPPE6327HTSA1

osa: 109247

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 350µA @ 30V,

Toivelistaan
KBL406G
GeneSiC Semiconductor

KBL406G

osa: 197055

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
KBPC35010T
GeneSiC Semiconductor

KBPC35010T

osa: 37027

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
KBPC2501W
GeneSiC Semiconductor

KBPC2501W

osa: 46680

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
KBPC5010W
GeneSiC Semiconductor

KBPC5010W

osa: 27723

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
GBL01
GeneSiC Semiconductor

GBL01

osa: 123983

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
KBPC1510T
GeneSiC Semiconductor

KBPC1510T

osa: 49409

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
KBPC3501W
GeneSiC Semiconductor

KBPC3501W

osa: 43931

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
KBPC2510W
GeneSiC Semiconductor

KBPC2510W

osa: 46697

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivelistaan
DB105G
GeneSiC Semiconductor

DB105G

osa: 151254

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
KBPC5002W
GeneSiC Semiconductor

KBPC5002W

osa: 27742

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
GBPC1504T
GeneSiC Semiconductor

GBPC1504T

osa: 46744

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
GBU15J
GeneSiC Semiconductor

GBU15J

osa: 84787

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
GBU10J
GeneSiC Semiconductor

GBU10J

osa: 98723

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
DB104G
GeneSiC Semiconductor

DB104G

osa: 199297

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
KBL410G
GeneSiC Semiconductor

KBL410G

osa: 138116

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
KBU1004
GeneSiC Semiconductor

KBU1004

osa: 87799

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
KBU8D
GeneSiC Semiconductor

KBU8D

osa: 101

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
M5060TB1400
Sensata-Crydom

M5060TB1400

osa: 1003

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.4kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 50A,

Toivelistaan
DB156STR
SMC Diode Solutions

DB156STR

osa: 116496

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
GBU802GTB
SMC Diode Solutions

GBU802GTB

osa: 196376

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
UG3KB40GTB
SMC Diode Solutions

UG3KB40GTB

osa: 167017

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
MB2FTR
SMC Diode Solutions

MB2FTR

osa: 174810

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 800mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
UG3KB10GTB
SMC Diode Solutions

UG3KB10GTB

osa: 187903

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivelistaan
GBPC3504TA
SMC Diode Solutions

GBPC3504TA

osa: 38250

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
UG4KB80TB
SMC Diode Solutions

UG4KB80TB

osa: 132902

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
GBJ2002TB
SMC Diode Solutions

GBJ2002TB

osa: 131051

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 20A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivelistaan
MD160S16M5-BP
Micro Commercial Co

MD160S16M5-BP

osa: 1458

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 160A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.75V @ 300A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 1600V,

Toivelistaan
TS25P03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P03GHD2G

osa: 46

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan