Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

BU1506-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1506-E3/45

osa: 36087

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU2510-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2510-E3/45

osa: 28109

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1210-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1210-M3/45

osa: 35116

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1506-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1506-M3/45

osa: 33620

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1208-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1208-M3/45

osa: 35101

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU1006A-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006A-M3/45

osa: 40694

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1010A-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010A-M3/45

osa: 40744

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1508-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1508-M3/45

osa: 33686

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU1008-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008-M3/45

osa: 37416

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU20065S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU20065S-E3/45

osa: 33186

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1510-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1510-E3/45

osa: 60697

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1508-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1508-E3/45

osa: 60788

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU25H08-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H08-M3/P

osa: 26742

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1010-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010-M3/45

osa: 37423

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU2008-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2008-E3/45

osa: 51686

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU2510-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2510-M3/45

osa: 25173

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU25H06-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H06-M3/P

osa: 26788

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU25H08-E3/A
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H08-E3/A

osa: 26771

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU25H06-E3/A
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H06-E3/A

osa: 26760

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1010A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010A-E3/51

osa: 48589

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1506-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1506-E3/51

osa: 73347

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU2008-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2008-E3/51

osa: 62318

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU2508-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2508-M3/45

osa: 25256

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU25H06-E3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25H06-E3/P

osa: 26766

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU2006-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2006-E3/45

osa: 30712

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
B40C1500G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B40C1500G-E4/51

osa: 111037

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 65V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 65V,

Toivelistaan
B380C1500G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B380C1500G-E4/51

osa: 112735

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
B80C1500G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B80C1500G-E4/51

osa: 112684

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 125V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 125V,

Toivelistaan
B250C800G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B250C800G-E4/51

osa: 152615

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan
B380C1000G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B380C1000G-E4/51

osa: 192791

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
BR102-BP
Micro Commercial Co

BR102-BP

osa: 91881

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
B485H-2T
Sensata-Crydom

B485H-2T

osa: 1463

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1.6kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 50A,

Toivelistaan
BR62
GeneSiC Semiconductor

BR62

osa: 42361

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
B4S-HF
Comchip Technology

B4S-HF

osa: 136028

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 800mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivelistaan
BR50005W-G
Comchip Technology

BR50005W-G

osa: 27180

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 50V,

Toivelistaan
BR50504W-G
Comchip Technology

BR50504W-G

osa: 27151

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 25A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivelistaan