Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

BU2006-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2006-E3/51

osa: 62327

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU25085S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25085S-M3/45

osa: 40509

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1210-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1210-M3/51

osa: 68018

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU2508-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2508-M3/51

osa: 48874

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1010-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010-E3/45

osa: 78194

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1010-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010-E3/51

osa: 94372

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1206-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1206-M3/51

osa: 68088

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU15065S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU15065S-E3/45

osa: 64249

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU25065S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25065S-E3/45

osa: 50412

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU12105S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU12105S-E3/45

osa: 66772

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU12065S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU12065S-M3/45

osa: 56428

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU20105S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU20105S-E3/45

osa: 49149

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1008A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008A-E3/51

osa: 98862

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU2508-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2508-E3/51

osa: 57043

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU20065S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU20065S-M3/45

osa: 43655

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1510-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1510-E3/51

osa: 73332

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU15085S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU15085S-M3/45

osa: 53891

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU1008-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008-M3/51

osa: 72319

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU1506-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1506-M3/51

osa: 65076

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU10085S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU10085S-M3/45

osa: 59889

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU25105S-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25105S-M3/45

osa: 40474

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 25A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU15085S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU15085S-E3/45

osa: 64282

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 7.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU2008-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2008-M3/51

osa: 52732

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU25105S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25105S-E3/45

osa: 45041

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU1008A-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008A-E3/45

osa: 81839

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU1006A-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006A-M3/51

osa: 78817

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
BU10085S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU10085S-E3/45

osa: 76820

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU1006A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006A-E3/51

osa: 98817

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1010A5S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1010A5S-E3/45

osa: 81689

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
BU25085S-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU25085S-E3/45

osa: 50453

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU1008-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1008-E3/45

osa: 72277

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 800V,

Toivelistaan
BU1006-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU1006-E3/51

osa: 87240

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivelistaan
BU2010-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

BU2010-M3/51

osa: 52772

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivelistaan
B125C800DM-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

B125C800DM-E3/45

osa: 148924

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivelistaan
B80C800G-E4/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

B80C800G-E4/51

osa: 175189

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 125V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 900mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 900mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 125V,

Toivelistaan
B485C-2
Sensata-Crydom

B485C-2

osa: 1958

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.35V @ 50A,

Toivelistaan