Transistorit - IGBT-moduulit

FZ2400R17HP4B9HOSA2

osa: 290

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4800A, Teho - maks: 15500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2400A,

FD16001200R17HP4KB2BOSA1

osa: 299

Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1600A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A,

FZ3600R17HE4PHPSA1

osa: 3074

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3600A,

F4100R17ME4B11BPSA1

osa: 408

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 155A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

FF400R12KE3HOSA1

osa: 105

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 580A, Teho - maks: 2000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

FF900R12IP4VBOSA1

osa: 366

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FF1200R17KP4B2NOSA2

osa: 643

IFS200B12N3E4B31BPSA1

osa: 103

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

FS800R07A2E3IBPSA1

osa: 867

FZ2400R12HP4B9HOSA2

osa: 272

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3550A, Teho - maks: 13500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2400A,

FZ1500R33HL3BPSA1

osa: 778

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1500A, Teho - maks: 17000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1500A,

F4-50R07W2H3_B51

osa: 298

FS820R08A6P2BPSA1

osa: 221

FS75R12KT3BOSA1

osa: 345

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FS50R12KT4B15BOSA1

osa: 394

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FZ1800R17HP4B9HOSA2

osa: 338

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1800A, Teho - maks: 11500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1800A,

FP75R12N2T4B16BOSA1

osa: 397

FP50R07N2E4BOSA1

osa: 332

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A,

FP150R07N3E4B11BOSA1

osa: 369

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A,

MG12225WB-BN2MM

osa: 596

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 325A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 225A (Typ),

MIXA60W1200TED

osa: 1005

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Teho - maks: 290W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 55A,

MUBW50-06A7

osa: 1100

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

MWI30-06A7

osa: 1542

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Teho - maks: 140W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A,

MWI50-12A7T

osa: 833

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

MID300-12A4

osa: 700

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 330A, Teho - maks: 1380W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A,

MIXA20WB1200TED

osa: 1409

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Teho - maks: 100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 16A,

MIXA600PF650TSF

osa: 654

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 720A, Teho - maks: 1750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

VII130-06P1

osa: 1612

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 121A, Teho - maks: 379W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 130A,

VS-GB300NH120N

osa: 475

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 1645W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

VS-GB100LP120N

osa: 1012

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 658W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A (Typ),

VS-GB150LH120N

osa: 713

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1389W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.87V @ 15V, 150A (Typ),

VS-GT300YH120N

osa: 483

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 341A, Teho - maks: 1042W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ),

VS-GB150YG120NT

osa: 756

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 182A, Teho - maks: 892W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 200A,

GSID200A120S5C1

osa: 389

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 335A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

GHIS080A120S-A2

osa: 1369

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A,

CM200TL-24NF

osa: 239

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 1160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 200A,