Transistorit - IGBT-moduulit

FS75R12KT4B15BOSA1

osa: 190

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 385W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FP100R06KE3_B16

osa: 649

FF600R17KE3B2NOSA1

osa: 277

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 4300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A,

FS150R07N3E4B11BOSA1

osa: 803

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A,

FZ1200R12KL4CNOSA1

osa: 701

FZ1800R17HE4B9HOSA2

osa: 240

Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1800A, Teho - maks: 11500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1800A,

FD16001200R17HP4B2BOSA2

osa: 272

Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 10500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A,

FF401R17KF6C_B2

osa: 196

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 650A, Teho - maks: 3150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 400A,

FZ1200R12KF5NDSA1

osa: 718

FS75R12KE3BOSA1

osa: 159

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FZ1800R17KE3B2NOSA1

osa: 712

FS100R07N3E4B11BOSA1

osa: 771

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A,

FS100R12KT4BOSA1

osa: 402

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

IFS100B12N3E4_B39

osa: 629

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

FF900R12IE4BOSA1

osa: 322

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FS200R07N3E4RB11BOSA1

osa: 399

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A,

FS75R07N2E4BOSA1

osa: 386

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A,

FP40R12KT3BOSA1

osa: 102

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A,

FF200R12KE4HOSA1

osa: 161

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

MWI15-12A7

osa: 1574

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 140W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A,

MID550-12A4

osa: 574

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 670A, Teho - maks: 2750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 400A,

MIO1200-33E10

osa: 110

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1200A,

MWI75-06A7T

osa: 1078

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A,

VS-GB50TP120N

osa: 1128

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 446W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

VS-GB15XP120KTPBF

osa: 1583

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 187W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A,

VS-GB400AH120U

osa: 463

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 550A, Teho - maks: 2841W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A,

VS-ETL015Y120H

osa: 968

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Teho - maks: 89W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.03V @ 15V, 15A,

VS-20MT120UFP

osa: 1375

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 240W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.66V @ 15V, 40A,

VS-GB400TH120N

osa: 369

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800A, Teho - maks: 2604W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ),

MG1275W-XN2MM

osa: 630

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 368W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A,

MG1240H-XBN2MM

osa: 914

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 105W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A,

MG17100D-BN4MM

osa: 715

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 690W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A,

MG06300D-BN4MM

osa: 692

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 300A (Typ),

CM100TX-24S1

osa: 678

Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 625W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A,

CM150TU-12F

osa: 385

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 520W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

GHIS060A120S-A2

osa: 1771

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Teho - maks: 680W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,