Transistorit - IGBT-moduulit

FF1200R17KE3B2NOSA1

osa: 667

FZ400R12KE4HOSA1

osa: 377

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 2400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

FF600R12KE3NOSA1

osa: 696

FP75R06KE3BOSA1

osa: 318

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

FF600R17ME4PBOSA1

osa: 387

IFS150B12N3E4PB50BPSA1

osa: 369

FF900R12IE4PBOSA1

osa: 346

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A,

FZ1800R12HP4B9HOSA2

osa: 409

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2700A, Teho - maks: 10500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1800A,

IFS150B12N3E4B31BOSA1

osa: 356

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FF300R06KE3B2HOSA1

osa: 347

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

FP35R12W2T4B11BOMA1

osa: 269

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Teho - maks: 215W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

FS150R06KE3BOSA1

osa: 180

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

FP25R12W2T4PBPSA1

osa: 125

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

FZ400R33KL2CB5NOSA1

osa: 5406

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 750A, Teho - maks: 4900W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 400A,

FS50R12KT3BOSA1

osa: 311

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FF450R12IE4BOSA2

osa: 386

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 2550W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 450A,

FS200R07N3E4RBOSA1

osa: 312

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A,

FS900R08A2P2B31BOSA1

osa: 128

FP25R12W2T4B11BOMA1

osa: 129

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 39A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

FF650R17IE4VBOSA1

osa: 376

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 4150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A,

FS150R12KT4BOSA1

osa: 323

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

FD400R07PE4RB6BOSA1

osa: 323

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A,

FF1400R12IP4PBOSA1

osa: 412

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Teho - maks: 1400000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1400A,

FS100R12KT4GBOSA1

osa: 314

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

FS400R12A2T4BOSA1

osa: 146

FS50R12U1T4BPSA1

osa: 865

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

CM150RX-24S1

osa: 5332

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 935W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A,

CM300DU-34KA

osa: 267

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 300A,

CM400DU-5F

osa: 328

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 10V, 400A,

CM225DX-24T

osa: 817

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 1470W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 17.5V @ 15V, 225A,

MDI100-12A3

osa: 1365

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 135A, Teho - maks: 560W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A,

MWI200-06A8

osa: 542

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 675W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

MDI300-12A4

osa: 678

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 330A, Teho - maks: 1380W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A,

MUBW20-06A7

osa: 1326

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Teho - maks: 125W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A,

VS-GB100NH120N

osa: 352

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 833W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A,

GSID100A120S5C1

osa: 648

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,