Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

APTM10DUM05TG

osa: 2783

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 278A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM10DHM09TG

osa: 2789

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM10DDAM19T3G

osa: 2824

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100TDU35PG

osa: 2796

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM10DDAM09T3G

osa: 2768

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100DUM90G

osa: 2758

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 78A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100H80FT1G

osa: 2809

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100DU18TG

osa: 2809

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 43A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100DDA35T3G

osa: 2731

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100A46FT1G

osa: 2813

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100A40FT1G

osa: 2805

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 21A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100A12STG

osa: 2822

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 68A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM100A23SCTG

osa: 2760

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Silicon Carbide (SiC), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTM08TDUM04PG

osa: 2746

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC80H29T1G

osa: 2742

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC80DSK29T3G

osa: 2793

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC80H29SCTG

osa: 1092

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC80DDA29T3G

osa: 2788

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC80A15T1G

osa: 2799

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC80AM75SCG

osa: 594

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 56A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC80A10SCTG

osa: 863

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC60DSKM70T3G

osa: 2751

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC60DSKM35T3G

osa: 2727

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T3G

osa: 2741

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Toivelistaan

Microsemi Corporation

APTC60AM70T1G

osa: 2769

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5802A

osa: 2728

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3810

osa: 2760

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3806

osa: 2744

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD606

osa: 2755

FET-tyyppi: N and P-Channel, Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8803

osa: 2798

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7600

osa: 2769

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 900mA, 600mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804

osa: 2805

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4932

osa: 2765

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A, 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4826

osa: 2775

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP610

osa: 2727

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivelistaan

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4619

osa: 3310

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Toivelistaan