Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

APTML202UM18R010T3AG

osa: 2939

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 109A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

osa: 3301

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

osa: 3350

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

osa: 2866

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

osa: 2896

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

osa: 293

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V (1kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

osa: 1142

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 59A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

osa: 2917

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 59A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

osa: 2886

FET-tyyppi: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

osa: 2885

FET-tyyppi: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

osa: 2935

FET-tyyppi: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

osa: 2862

FET-tyyppi: 2 N Channel (Phase Leg), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 66A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

osa: 2932

FET-tyyppi: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

osa: 1136

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

osa: 424

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 59A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

osa: 666

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 59A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

osa: 2898

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

osa: 5403

FET-tyyppi: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

osa: 2849

FET-tyyppi: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-ominaisuus: Super Junction, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA,

ALD111910SAL

osa: 38839

ALD111910PAL

osa: 38839

AOC2800

osa: 2871

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate,

AON6974A

osa: 2934

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6970

osa: 2849

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A, 42A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6928

osa: 2893

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A, 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2809

osa: 2941

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

AON6973A

osa: 2858

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON7826

osa: 2861

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

osa: 2874

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO5800E

osa: 2920

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

osa: 2939

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 600mA, 500mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4618

osa: 192153

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6974

osa: 2877

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6936

osa: 2917

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, 40A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON6938

osa: 2882

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A, 33A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

osa: 2875

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,