Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

AUIRF7343Q
Infineon Technologies

AUIRF7343Q

osa: 2791

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivelistaan
ALD1115MAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115MAL

osa: 31406

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 10.6V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Toivelistaan
ALD111933MAL
Advanced Linear Devices Inc.

ALD111933MAL

osa: 33438

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 10.6V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,

Toivelistaan
AO6810
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6810

osa: 3334

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivelistaan
APTM60A23FT1G
Microsemi Corporation

APTM60A23FT1G

osa: 2807

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Toivelistaan
APTM50TDUM65PG
Microsemi Corporation

APTM50TDUM65PG

osa: 3356

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM50DUM38TG
Microsemi Corporation

APTM50DUM38TG

osa: 2789

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM50DUM25TG
Microsemi Corporation

APTM50DUM25TG

osa: 2781

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 149A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Toivelistaan
APTM50DUM35TG
Microsemi Corporation

APTM50DUM35TG

osa: 2820

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 99A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM50DUM19G
Microsemi Corporation

APTM50DUM19G

osa: 2832

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 163A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Toivelistaan
APTM50DUM17G
Microsemi Corporation

APTM50DUM17G

osa: 2758

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 90A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Toivelistaan
APTM50DSKM65T3G
Microsemi Corporation

APTM50DSKM65T3G

osa: 3279

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM50DHM75TG
Microsemi Corporation

APTM50DHM75TG

osa: 2739

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 46A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM50DSK10T3G
Microsemi Corporation

APTM50DSK10T3G

osa: 2805

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 37A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Toivelistaan
APTM50DHM65TG
Microsemi Corporation

APTM50DHM65TG

osa: 3354

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM50AM25FTG
Microsemi Corporation

APTM50AM25FTG

osa: 2755

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 149A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 74.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Toivelistaan
APTM50AM70FT1G
Microsemi Corporation

APTM50AM70FT1G

osa: 2771

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 42A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM50A15FT1G
Microsemi Corporation

APTM50A15FT1G

osa: 2761

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Toivelistaan
APTM50AM19STG
Microsemi Corporation

APTM50AM19STG

osa: 2747

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Silicon Carbide (SiC), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 85A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Toivelistaan
APTM20DUM10TG
Microsemi Corporation

APTM20DUM10TG

osa: 2803

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM20TDUM16PG
Microsemi Corporation

APTM20TDUM16PG

osa: 2825

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 104A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM20DUM05TG
Microsemi Corporation

APTM20DUM05TG

osa: 2827

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 333A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Toivelistaan
APTM20DHM10G
Microsemi Corporation

APTM20DHM10G

osa: 2785

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM20DHM16TG
Microsemi Corporation

APTM20DHM16TG

osa: 2733

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 104A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM20DHM08G
Microsemi Corporation

APTM20DHM08G

osa: 2824

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 208A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM20AM05FTG
Microsemi Corporation

APTM20AM05FTG

osa: 2762

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 333A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 166.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Toivelistaan
APTM120TDU57PG
Microsemi Corporation

APTM120TDU57PG

osa: 2732

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM120H57FT3G
Microsemi Corporation

APTM120H57FT3G

osa: 2766

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM120DU29TG
Microsemi Corporation

APTM120DU29TG

osa: 2792

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 34A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Toivelistaan
APTM120DSK57T3G
Microsemi Corporation

APTM120DSK57T3G

osa: 2791

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM120A80FT1G
Microsemi Corporation

APTM120A80FT1G

osa: 2744

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM120DDA57T3G
Microsemi Corporation

APTM120DDA57T3G

osa: 2827

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM120A65FT1G
Microsemi Corporation

APTM120A65FT1G

osa: 2750

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V (1.2kV), Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM10TDUM19PG
Microsemi Corporation

APTM10TDUM19PG

osa: 2820

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Toivelistaan
APTM10TDUM09PG
Microsemi Corporation

APTM10TDUM09PG

osa: 2746

FET-tyyppi: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Toivelistaan
APTM10HM09FTG
Microsemi Corporation

APTM10HM09FTG

osa: 2809

FET-tyyppi: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Toivelistaan