Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

MRF5812M

osa: 5533

MRF5812MR2

osa: 7279

JANS2N2857UB-LC

osa: 4803

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Saada: 21dB, Teho - maks: 200mW,

SD1419-06H

osa: 7341

MS2341

osa: 7288

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 87.5W,

JAN2N4957

osa: 7284

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz, Saada: 25dB, Teho - maks: 200mW,

MSC72111H

osa: 7267

SD8002-01H

osa: 7301

MSC74070

osa: 7353

MS1579

osa: 7203

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 470MHz ~ 860MHz, Saada: 8.5dB, Teho - maks: 65W,

MS2874

osa: 7302

MS2200A

osa: 7286

MDS500L

osa: 199

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V, Taajuus - Siirtyminen: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Saada: 9.2dB, Teho - maks: 833W,

JAN2N2857UB

osa: 1258

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 450MHz, Saada: 21dB, Teho - maks: 200mW,

MS1015D

osa: 7280

MS2279

osa: 7291

DME375A

osa: 319

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 6.5dB, Teho - maks: 375W,

MRF5812G

osa: 7287

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Saada: 13dB ~ 15.5dB, Teho - maks: 1.25W,

UPA812T-A

osa: 7182

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 200mW,

NE68030-T1-R45-A

osa: 7208

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz, Saada: 9.4dB, Teho - maks: 150mW,

NE68033-T1B-A

osa: 7187

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 200mW,

NESG270034-T1-AZ

osa: 7214

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 9.2V, Teho - maks: 1.9W,

NESG260234-T1-AZ

osa: 7195

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 9.2V, Teho - maks: 1.9W,

NE46234-T1-SE-AZ

osa: 7195

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 6GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Saada: 8.3dB, Teho - maks: 1.8W,

NE85633-R25-A

osa: 7175

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11.5dB, Teho - maks: 200mW,

CMPT918 TR

osa: 135732

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 350mW,

PN3563

osa: 162770

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V,

DSC5G0200L

osa: 181235

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.3dB @ 100MHz, Saada: 24dB, Teho - maks: 150mW,

MMBTH10-7-F

osa: 129901

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 650MHz, Teho - maks: 300mW,

MMBTH10-4LT1

osa: 4810

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 800MHz, Teho - maks: 225mW,

MCH4016-TL-H

osa: 146016

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 18dB, Teho - maks: 350mW,

NSVF4017SG4T1G

osa: 9938

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 17dB, Teho - maks: 450mW,

PH3134-9L

osa: 7245

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Saada: 8dB, Teho - maks: 9W,

MAPRST0912-350

osa: 249

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.215GHz, Saada: 9.4dB, Teho - maks: 350W,

PH3134-11S

osa: 4779

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Saada: 8dB, Teho - maks: 11W,

LPT16ED

osa: 3181

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4V, Taajuus - Siirtyminen: 16GHz, Saada: 5.2dB, Teho - maks: 250mW,