Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

MRF555G

osa: 7247

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 16V, Taajuus - Siirtyminen: 470MHz, Saada: 12.5dB, Teho - maks: 3W,

SD1224

osa: 1317

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Taajuus - Siirtyminen: 175MHz, Saada: 7.6dB, Teho - maks: 60W,

MS1030DE

osa: 4759

MS2552

osa: 323

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 6.7dB, Teho - maks: 880W,

JTDB25

osa: 278

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Taajuus - Siirtyminen: 960MHz ~ 1.215GHz, Saada: 7.5dB, Teho - maks: 97W,

MS1001

osa: 854

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Taajuus - Siirtyminen: 30MHz, Saada: 13dB, Teho - maks: 270W,

MS1019

osa: 7324

MS1004

osa: 552

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Taajuus - Siirtyminen: 30MHz, Saada: 14.5dB, Teho - maks: 330W,

MRF553G

osa: 4770

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 16V, Taajuus - Siirtyminen: 175MHz, Saada: 11dB ~ 13dB, Teho - maks: 3W,

MS1801

osa: 7255

MRF581G

osa: 7182

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Taajuus - Siirtyminen: 5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz, Saada: 13dB ~ 15.5dB, Teho - maks: 1.25W,

TPR400

osa: 415

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Taajuus - Siirtyminen: 1.03GHz ~ 1.09GHz, Saada: 7.27dB, Teho - maks: 875W,

SD1019-02

osa: 4742

MRF5812R1

osa: 4769

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz, Saada: 13dB ~ 15.5dB, Teho - maks: 1.25W,

MRF553GT

osa: 7274

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 16V, Taajuus - Siirtyminen: 175MHz, Saada: 11.5dB, Teho - maks: 3W,

MS2091H

osa: 4771

MS2200

osa: 256

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 400MHz ~ 500MHz, Saada: 9.7dB, Teho - maks: 1167W,

MCH4015-TL-H

osa: 155772

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 17dB, Teho - maks: 450mW,

MSC2295-CT1G

osa: 7147

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 150MHz, Teho - maks: 200mW,

NSVF6003SB6T1G

osa: 9977

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 800mW,

MPSH81_D75Z

osa: 7155

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Teho - maks: 350mW,

MMBTH81_F080

osa: 4820

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 600MHz, Teho - maks: 225mW,

NSVF2250WT1G

osa: 7147

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V,

UPA895TS-T3-A

osa: 7149

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5.5V, Taajuus - Siirtyminen: 6.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Teho - maks: 130mW,

NE856M03-A

osa: 4728

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 4.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 125mW,

NE85639-T1-R28-A

osa: 7258

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 13dB, Teho - maks: 200mW,

NE85633-R24-A

osa: 7149

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11.5dB, Teho - maks: 200mW,

NE68139-T1-A

osa: 7386

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 13.5dB, Teho - maks: 200mW,

NE68133-T1B-R35-A

osa: 7256

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 13dB, Teho - maks: 200mW,

NE85634-T1-RE-A

osa: 7189

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 6.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 1.2W,

NE68730-T1

osa: 58149

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3V, Taajuus - Siirtyminen: 11GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Teho - maks: 90mW,

MX0912B251Y,114

osa: 7164

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 1.215GHz, Saada: 7.4dB, Teho - maks: 690W,

PH2729-25M

osa: 370

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Saada: 9.2dB, Teho - maks: 70W,

MRF428

osa: 808

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 55V, Saada: 15dB, Teho - maks: 150W,

PH1090-175L

osa: 298

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Saada: 8.58dB, Teho - maks: 188W,

MT3S113P(TE12L,F)

osa: 4314

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5.3V, Taajuus - Siirtyminen: 7.7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Saada: 10.5dB, Teho - maks: 1.6W,