Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

MS1202

osa: 7197

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Taajuus - Siirtyminen: 118MHz ~ 136MHz, Saada: 8.4dB, Teho - maks: 15W,

MS1336

osa: 1077

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Taajuus - Siirtyminen: 175MHz, Saada: 10dB, Teho - maks: 70W,

MS1649

osa: 4562

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 16V, Taajuus - Siirtyminen: 470MHz, Saada: 9.5dB, Teho - maks: 7.8W,

MS2502A

osa: 7336

MS2244

osa: 7321

MRF8372R1

osa: 7286

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 16V, Taajuus - Siirtyminen: 870MHz, Saada: 8dB ~ 9.5dB, Teho - maks: 2.2W,

MS2206

osa: 7232

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 1.025GHz ~ 1.15GHz, Saada: 10dB, Teho - maks: 7.5W,

MS1227

osa: 1189

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Taajuus - Siirtyminen: 30MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 80W,

MRF4427R1

osa: 7274

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Saada: 20dB, Teho - maks: 1.5W,

SD1127

osa: 3891

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Taajuus - Siirtyminen: 175MHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 8W,

MSC1450M

osa: 343

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.09GHz, Saada: 7dB, Teho - maks: 910W,

TCS800

osa: 211

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Taajuus - Siirtyminen: 1.03GHz, Saada: 8dB ~ 9dB, Teho - maks: 1944W,

SD8268-21H

osa: 7359

TAN15

osa: 549

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Taajuus - Siirtyminen: 960MHz ~ 1.215GHz, Saada: 7dB ~ 8dB, Teho - maks: 175W,

CM4957

osa: 14958

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Taajuus - Siirtyminen: 2.5GHz, Saada: 25dB, Teho - maks: 300mW,

CMUT5179 TR

osa: 164737

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.45GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz, Saada: 15dB, Teho - maks: 250mW,

MMBTH10RG

osa: 132268

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Taajuus - Siirtyminen: 450MHz, Teho - maks: 225mW,

MCH4013-TL-E

osa: 182705

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3.5V, Taajuus - Siirtyminen: 22.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Saada: 16dB, Teho - maks: 50mW,

CPH6003A-TL-E

osa: 162174

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Saada: 9dB, Teho - maks: 800mW,

MPSH17RLRAG

osa: 7167

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 800MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz, Saada: 24dB, Teho - maks: 350mW,

MCH4014-TL-H

osa: 136241

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 18dB, Teho - maks: 350mW,

MRF393

osa: 735

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Saada: 8.5dB, Teho - maks: 100W,

MRF455

osa: 1302

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 18V, Saada: 13dB, Teho - maks: 60W,

MRF10350

osa: 244

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 65V, Saada: 9dB, Teho - maks: 350W,

START405TR

osa: 7214

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4.5V, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Saada: 19dB, Teho - maks: 45mW,

MAX2602ESA+

osa: 17619

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz, Saada: 11.6dB, Teho - maks: 6.4W,

NE664M04-T2-A

osa: 7187

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5V, Taajuus - Siirtyminen: 20GHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 735mW,

NESG250134-T1-AZ

osa: 4786

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 9.2V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Saada: 23dB, Teho - maks: 1.5W,

NE58219-T1-A

osa: 7173

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 5GHz, Teho - maks: 100mW,

NE85639-T1-R27-A

osa: 7245

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 13dB, Teho - maks: 200mW,

NE46134-T1-QR-AZ

osa: 7254

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 5.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Saada: 7dB, Teho - maks: 2W,

NE461M02-T1-QR-AZ

osa: 7286

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Meluluku (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Saada: 8.3dB, Teho - maks: 2W,

NE66219-A

osa: 7185

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3.3V, Taajuus - Siirtyminen: 21GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Saada: 14dB, Teho - maks: 115mW,

MT3S20P(TE12L,F)

osa: 4313

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Saada: 16.5dB, Teho - maks: 1.8W,

HFA3096BZ

osa: 11744

Transistorin tyyppi: 3 NPN + 2 PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, 15V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, 5.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

ZUMTS17HTA

osa: 7202

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.3GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz, Teho - maks: 330mW,