Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

BFP460E6327HTSA1
Infineon Technologies

BFP460E6327HTSA1

osa: 7097

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5.8V, Taajuus - Siirtyminen: 22GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Saada: 12.5dB ~ 26.5dB, Teho - maks: 230mW,

Toivelistaan
BFP 182 E7764
Infineon Technologies

BFP 182 E7764

osa: 4765

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Saada: 22dB, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
BFR 360F E6327
Infineon Technologies

BFR 360F E6327

osa: 7063

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 9V, Taajuus - Siirtyminen: 14GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz, Saada: 15.5dB, Teho - maks: 210mW,

Toivelistaan
BFP 640 H6433
Infineon Technologies

BFP 640 H6433

osa: 7120

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4.5V, Taajuus - Siirtyminen: 40GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Saada: 24dB, Teho - maks: 200mW,

Toivelistaan
BFP460E6433HTMA1
Infineon Technologies

BFP460E6433HTMA1

osa: 7064

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5.8V, Taajuus - Siirtyminen: 22GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz, Saada: 12.5dB ~ 26.5dB, Teho - maks: 230mW,

Toivelistaan
BFP 420F E6327
Infineon Technologies

BFP 420F E6327

osa: 7083

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5V, Taajuus - Siirtyminen: 25GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz, Saada: 19.5dB, Teho - maks: 160mW,

Toivelistaan
BFR 705L3RH E6327
Infineon Technologies

BFR 705L3RH E6327

osa: 7100

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4.7V, Taajuus - Siirtyminen: 39GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Saada: 25dB, Teho - maks: 40mW,

Toivelistaan
BFS 360L6 E6327
Infineon Technologies

BFS 360L6 E6327

osa: 7094

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 9V, Taajuus - Siirtyminen: 14GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz, Saada: 10dB ~ 14.5dB, Teho - maks: 210mW,

Toivelistaan
BFS17WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BFS17WE6327HTSA1

osa: 7037

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.4GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz, Teho - maks: 280mW,

Toivelistaan
BFS17SE6327HTSA1
Infineon Technologies

BFS17SE6327HTSA1

osa: 7076

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 1.4GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz, Teho - maks: 280mW,

Toivelistaan
BFR183E6327HTSA1
Infineon Technologies

BFR183E6327HTSA1

osa: 24334

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Saada: 17.5dB, Teho - maks: 450mW,

Toivelistaan
BFP540FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP540FESDH6327XTSA1

osa: 186845

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5V, Taajuus - Siirtyminen: 30GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz, Saada: 20dB, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
BFP183WH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP183WH6327XTSA1

osa: 178582

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Saada: 22dB, Teho - maks: 450mW,

Toivelistaan
BFS483H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFS483H6327XTSA1

osa: 110689

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Saada: 19dB, Teho - maks: 450mW,

Toivelistaan
BFR182E6327HTSA1
Infineon Technologies

BFR182E6327HTSA1

osa: 24318

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Saada: 12dB ~ 18dB, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
BFP183E7764HTSA1
Infineon Technologies

BFP183E7764HTSA1

osa: 25816

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Saada: 22dB, Teho - maks: 250mW,

Toivelistaan
BFS481H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFS481H6327XTSA1

osa: 192818

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz, Saada: 20dB, Teho - maks: 175mW,

Toivelistaan
BFP650H6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP650H6327XTSA1

osa: 196865

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4.5V, Taajuus - Siirtyminen: 37GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Saada: 10.5dB ~ 21.5dB, Teho - maks: 500mW,

Toivelistaan
BFR740L3RHE6327XTSA1
Infineon Technologies

BFR740L3RHE6327XTSA1

osa: 32341

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4.7V, Taajuus - Siirtyminen: 42GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz, Saada: 24.5dB, Teho - maks: 160mW,

Toivelistaan
BFP650FH6327XTSA1
Infineon Technologies

BFP650FH6327XTSA1

osa: 174279

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4.5V, Taajuus - Siirtyminen: 42GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz, Saada: 11dB ~ 21.5dB, Teho - maks: 500mW,

Toivelistaan
BF959RL1
ON Semiconductor

BF959RL1

osa: 5498

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 700MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Teho - maks: 625mW,

Toivelistaan
BF959
ON Semiconductor

BF959

osa: 4730

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 700MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Teho - maks: 625mW,

Toivelistaan
BF959ZL1
ON Semiconductor

BF959ZL1

osa: 7111

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Taajuus - Siirtyminen: 700MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz, Teho - maks: 625mW,

Toivelistaan
BFG403W,115
NXP USA Inc.

BFG403W,115

osa: 7054

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4.5V, Taajuus - Siirtyminen: 17GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz, Saada: 20dB ~ 22dB, Teho - maks: 16mW,

Toivelistaan
BFG310W/XR,115
NXP USA Inc.

BFG310W/XR,115

osa: 4787

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 14GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz, Saada: 18dB, Teho - maks: 60mW,

Toivelistaan
BFG425W,115
NXP USA Inc.

BFG425W,115

osa: 7017

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4.5V, Taajuus - Siirtyminen: 25GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz, Saada: 20dB, Teho - maks: 135mW,

Toivelistaan
BFG31,115
NXP USA Inc.

BFG31,115

osa: 7034

Transistorin tyyppi: PNP, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 5GHz, Teho - maks: 1W,

Toivelistaan
BFR520T,115
NXP USA Inc.

BFR520T,115

osa: 7034

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
BFG505/X,215
NXP USA Inc.

BFG505/X,215

osa: 7042

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivelistaan
BFG540W,115
NXP USA Inc.

BFG540W,115

osa: 7042

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Taajuus - Siirtyminen: 9GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz, Teho - maks: 500mW,

Toivelistaan
BFU550WX
NXP USA Inc.

BFU550WX

osa: 153806

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 11GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Saada: 18dB, Teho - maks: 450mW,

Toivelistaan
BLT81,115
NXP USA Inc.

BLT81,115

osa: 84249

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 9.5V, Taajuus - Siirtyminen: 900MHz, Saada: 8dB, Teho - maks: 2W,

Toivelistaan
BFU730LXZ
NXP USA Inc.

BFU730LXZ

osa: 173800

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3V, Taajuus - Siirtyminen: 53GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz, Saada: 15.8dB, Teho - maks: 160mW,

Toivelistaan
BFU725F/N1,115
NXP USA Inc.

BFU725F/N1,115

osa: 126922

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2.8V, Taajuus - Siirtyminen: 55GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz, Saada: 10dB ~ 24dB, Teho - maks: 136mW,

Toivelistaan
BFU530AR
NXP USA Inc.

BFU530AR

osa: 195287

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 11GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Saada: 18dB, Teho - maks: 450mW,

Toivelistaan
BFU520WX
NXP USA Inc.

BFU520WX

osa: 172356

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz, Saada: 18.5dB, Teho - maks: 450mW,

Toivelistaan