Diodit - sillan tasasuuntaajat

Koti
Diodit - sillan tasasuuntaajat

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBL04-E4/51

osa: 59135

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBU6B-E4/51

osa: 19358

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBL01-E4/51

osa: 59095

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC606-E4/51

osa: 35472

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

PB5008-E3/45

osa: 20532

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 45A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 22.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8D-E3/51

osa: 45229

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBU4B-E4/51

osa: 27695

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC1206-E4/51

osa: 17599

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB20

osa: 58617

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.9A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU4D-E3/51

osa: 97152

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2520-E3/45

osa: 5103

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6M-E3/45

osa: 71187

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB80R

osa: 50943

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.9A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6M-E3/51

osa: 85959

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8M-E3/45

osa: 73442

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

W005G-E4/51

osa: 112717

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU8B-E3/51

osa: 91834

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 8A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC601PBF

osa: 28076

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL08-E3/51

osa: 129674

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB100R

osa: 54302

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2580-E3/45

osa: 33174

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 12.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1KAB10E

osa: 43359

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-36MT10

osa: 5388

Diodityyppi: Three Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 100V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2KBB10R

osa: 41933

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBL08-E3/45

osa: 59095

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 800V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1KAB60E

osa: 58674

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.2A,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB620-E3/45

osa: 76587

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 3A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC110

osa: 54342

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBU4J-E4/51

osa: 27666

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 600V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC604PBF

osa: 31714

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

DF005SA-E3/77

osa: 163795

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-KBPC602PBF

osa: 28538

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6B-E3/51

osa: 85933

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 6A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 100V,

Toivomuslista

GBPC35005-E4/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

GBPC35005-E4/51

osa: 20733

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 17.5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

G3SBA20-E3/51

osa: 56767

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 200V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

KBL005-E4/51

osa: 59149

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 4A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista

1161

«
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
»