Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
VS-3EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH01HM3/6A

osa: 165175

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 18ns,

Toivomuslista
SB1H90-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB1H90-E3/73

osa: 176647

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 770mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PD-M3/85A

osa: 115870

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
SS24-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS24-E3/5BT

osa: 181211

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS3H9-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3H9-M3/57T

osa: 159623

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UG4C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-E3/54

osa: 177524

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
VS-10BQ015HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ015HM3/5BT

osa: 189348

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 15V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 330mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VSSAF5M15-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M15-M3/H

osa: 151

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
RS2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2D-M3/52T

osa: 156675

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
VS-3EGU06-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EGU06-M3/5BT

osa: 178519

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
VS-MBRS190-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS190-M3/5BT

osa: 185272

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 90V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 780mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-3EJH02HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02HM3/6A

osa: 178329

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 18ns,

Toivomuslista
SL42-E3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL42-E3/57T

osa: 165298

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 420mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
V8PAM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PAM12-M3/I

osa: 136

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S1AFJ-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFJ-M3/6A

osa: 190753

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.47µs,

Toivomuslista
GPP10J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10J-E3/73

osa: 115689

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-10BQ040HM3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10BQ040HM3/5BT

osa: 133136

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UG1A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1A-E3/54

osa: 164168

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
SS2PH10-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH10-M3/85A

osa: 169958

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS2PH5HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH5HM3/85A

osa: 102737

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CS3K-E3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS3K-E3/I

osa: 156130

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.8µs,

Toivomuslista
GPP10J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10J-E3/54

osa: 102282

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S1PM-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PM-M3/85A

osa: 147401

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
S2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2KHE3_A/I

osa: 171812

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
V8PA10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA10-M3/I

osa: 110

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 760mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S2K-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S2K-M3/52T

osa: 117990

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 1.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
V20150S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20150S-M3/4W

osa: 106130

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VSSAF5M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5M6HM3/H

osa: 77

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 660mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S3M-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3M-M3/9AT

osa: 181258

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
SE30PAD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PAD-M3/I

osa: 166924

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.16V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.3µs,

Toivomuslista
V8PA15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA15-M3/I

osa: 123

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
V8PA12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8PA12-M3/I

osa: 156

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 870mV @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
RS3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-M3/9AT

osa: 179050

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 2.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
S3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3B-M3/9AT

osa: 143312

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
S1PG-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PG-M3/85A

osa: 167861

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
V10P8-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10P8-M3/87A

osa: 156354

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista