Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
S3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3D-M3/57T

osa: 187041

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF510HM3/I

osa: 70

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UF4002-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4002-M3/73

osa: 189289

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 50ns,

Toivomuslista
GPP20A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP20A-E3/54

osa: 133669

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
GPP10A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10A-E3/73

osa: 118045

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS2PH6-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2PH6-M3/84A

osa: 125732

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UF1005-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1005-M3/54

osa: 183697

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
V20DL45BP-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20DL45BP-M3/I

osa: 197575

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 640mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UG4B-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4B-E3/73

osa: 172645

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
UF1006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1006-M3/73

osa: 143940

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EJH01HM3/6A

osa: 198713

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
S5D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5D-M3/57T

osa: 125434

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
RS3KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3KHE3_A/H

osa: 155116

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 2.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista
UG1B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG1B-E3/54

osa: 132122

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
S5BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5BHE3_A/I

osa: 178522

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
V20PW45HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW45HM3/I

osa: 177916

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 610mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS2H10-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2H10-M3/52T

osa: 143222

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 790mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S5B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5B-E3/9AT

osa: 148076

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
GPP10D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10D-E3/54

osa: 175090

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UF1006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1006-M3/54

osa: 148870

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
VSSB3L6S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB3L6S-M3/5BT

osa: 198213

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2.6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 590mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
RS2A-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS2A-M3/5BT

osa: 182601

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
UG4C-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-M3/54

osa: 136319

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
GPP10B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GPP10B-E3/54

osa: 103495

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VSSAF5N50-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF5N50-M3/6B

osa: 187361

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 410mV @ 2.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VSSB410S-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSB410S-M3/5BT

osa: 150478

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.9A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 770mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
V35PWM15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V35PWM15HM3/I

osa: 123824

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 35A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.4V @ 35A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VF20120S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120S-M3/4W

osa: 133708

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.12V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
V20PWM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM12HM3/I

osa: 170958

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 120V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.02V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VT1045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045BP-M3/4W

osa: 168874

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 680mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VIT5200-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT5200-E3/4W

osa: 195833

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS3P5HM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS3P5HM3/84A

osa: 152623

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 780mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
V4PAL45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V4PAL45HM3_A/I

osa: 192421

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 430mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UG4C-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4C-M3/73

osa: 155443

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
VS-3EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH01HM3/6B

osa: 121183

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
SB2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2D-M3/52T

osa: 170713

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista