Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
RS3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division

RS3A-M3/57T

osa: 113724

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 2.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 150ns,

Toivomuslista
CS2G-E3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

CS2G-E3/H

osa: 132

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.1µs,

Toivomuslista
S3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3KHE3_A/I

osa: 104449

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
SL43-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL43-M3/9AT

osa: 117465

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 420mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S5AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

S5AHE3_A/I

osa: 153631

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
SE50PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE50PADHM3/I

osa: 104555

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.16V @ 5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
SSB43L-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SSB43L-M3/52T

osa: 165774

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS26-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS26-M3/5BT

osa: 133736

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS2P5-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P5-M3/85A

osa: 116554

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VI20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20100SG-E3/4W

osa: 127604

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.07V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS25-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS25-M3/52T

osa: 151804

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SB2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

SB2G-M3/52T

osa: 139203

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2µs,

Toivomuslista
VSSAF3M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M6-M3/I

osa: 140

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UF1005-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF1005-M3/73

osa: 176003

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
SS2P3HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P3HM3/85A

osa: 164762

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS2P2HM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS2P2HM3/85A

osa: 138117

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-MBRS130L-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRS130L-M3/5BT

osa: 137253

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 420mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MUR420-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR420-M3/73

osa: 154083

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 890mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
SE30PADHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SE30PADHM3/I

osa: 103507

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.16V @ 3A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.3µs,

Toivomuslista
V3PAL45-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V3PAL45-M3/I

osa: 159362

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 540mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VFT760-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT760-M3/4W

osa: 184095

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SL22HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SL22HE3_A/H

osa: 140172

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 395mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S1PBHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

S1PBHM3/85A

osa: 150868

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 1.8µs,

Toivomuslista
VS-2EGH02HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2EGH02HM3_A/I

osa: 184289

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 25ns,

Toivomuslista
VS-30BQ040HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30BQ040HM3/9AT

osa: 191497

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UF4006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

UF4006-M3/73

osa: 139960

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 75ns,

Toivomuslista
V20PWM15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM15-M3/I

osa: 187949

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.47V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
S3K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division

S3K-M3/9AT

osa: 187118

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.15V @ 2.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 2.5µs,

Toivomuslista
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-3EJH02HM3/6B

osa: 109678

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 930mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
VI20150S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20150S-E3/4W

osa: 106643

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.43V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SS1P4-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS1P4-M3/84A

osa: 126389

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 530mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UG4D-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG4D-M3/54

osa: 132157

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 4A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 4A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 30ns,

Toivomuslista
VSSAF3M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10-M3/I

osa: 164

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VI30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VI30100SG-E3/4W

osa: 109814

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VIT1080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080S-E3/4W

osa: 65447

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VSSAF3M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSSAF3M10HM3/H

osa: 116

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista