Diodit - Zener - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

BZG05B24-E3-TR

osa: 6847

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-HE3-TR3

osa: 6817

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 16V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-E3-TR3

osa: 6843

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 16V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-HE3-TR

osa: 6832

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 16V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-HE3-TR3

osa: 6904

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 24 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-E3-TR

osa: 6907

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 16V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-E3-TR3

osa: 3771

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 24 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-HE3-TR

osa: 6901

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 24 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-E3-TR

osa: 6858

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 24 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-HE3-TR3

osa: 3772

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-E3-TR3

osa: 6837

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-HE3-TR

osa: 6886

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-E3-TR

osa: 6883

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-HE3-TR3

osa: 6821

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-E3-TR3

osa: 6814

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-HE3-TR

osa: 6853

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-E3-TR

osa: 6887

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-HE3-TR

osa: 6843

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-HE3-TR3

osa: 6849

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-E3-TR3

osa: 6907

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-E3-TR

osa: 6870

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-HE3-TR

osa: 6863

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-HE3-TR3

osa: 3700

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-E3-TR3

osa: 6858

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-E3-TR

osa: 6825

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-HE3-TR3

osa: 6899

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-HE3-TR

osa: 6864

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-E3-TR3

osa: 6843

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-E3-TR

osa: 6860

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-HE3-TR

osa: 6838

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 8.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-HE3-TR3

osa: 6818

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 8.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-E3-TR3

osa: 6901

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 8.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-E3-TR

osa: 6820

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 8.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-HE3-TR3

osa: 6902

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-E3-TR3

osa: 6860

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-E3-TR

osa: 6898

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista