Diodit - Zener - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 100

BZG05B43-E3-TR3

osa: 6852

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B43-HE3-TR

osa: 6848

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B43-E3-TR

osa: 6890

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V9-HE3-TR

osa: 6830

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±2.05%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V9-E3-TR3

osa: 6850

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±2.05%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V9-E3-TR

osa: 6862

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±2.05%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V6-HE3-TR3

osa: 6843

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±1.94%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V6-HE3-TR

osa: 6862

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±1.94%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V3-HE3-TR3

osa: 6890

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±2.12%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V6-E3-TR

osa: 6833

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±1.94%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V3-E3-TR3

osa: 6920

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±2.12%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V3-HE3-TR

osa: 6879

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±2.12%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B3V3-E3-TR

osa: 6910

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±2.12%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 40µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B39-HE3-TR3

osa: 6898

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B39-HE3-TR

osa: 6888

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B39-E3-TR3

osa: 6910

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B39-E3-TR

osa: 6881

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 50 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B36-HE3-TR

osa: 6866

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B36-HE3-TR3

osa: 3776

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B36-E3-TR3

osa: 6841

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B36-E3-TR

osa: 6917

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-HE3-TR3

osa: 6867

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 24V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-HE3-TR

osa: 6863

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 24V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-E3-TR

osa: 6842

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 24V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B33-E3-TR3

osa: 6878

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 24V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B30-HE3-TR

osa: 6836

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 22V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B30-HE3-TR3

osa: 6817

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 22V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B30-E3-TR

osa: 6881

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 22V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B30-E3-TR3

osa: 6894

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 22V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B27-HE3-TR3

osa: 6836

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 20V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B27-HE3-TR

osa: 6864

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 20V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B27-E3-TR3

osa: 6897

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 20V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B27-E3-TR

osa: 6829

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 20V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B24-HE3-TR

osa: 6867

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B24-HE3-TR3

osa: 3756

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B24-E3-TR3

osa: 3704

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 1.25W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista