Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot
VS-300CNQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300CNQ045PBF

osa: 1541

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 770mV @ 300A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKD196/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD196/04PBF

osa: 1257

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 97.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SBLF25L30CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLF25L30CTHE3/45

osa: 78332

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 12.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 12.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKC196/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC196/16PBF

osa: 482

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 97.5A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VB40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40150C-E3/4W

osa: 71671

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.43V @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-HFA140FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA140FA60

osa: 1679

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB25H60CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H60CTHE3_A/I

osa: 65351

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SBLB25L30CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB25L30CTHE3_A/P

osa: 78920

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 12.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 390mV @ 12.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB2045CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTHE3_A/P

osa: 100816

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-83CNQ100ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-83CNQ100ASLPBF

osa: 8060

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-82CNQ030ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-82CNQ030ASLPBF

osa: 8068

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 80A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
UG10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10DCT-E3/45

osa: 65449

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-20CTH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTH03-M3

osa: 3979

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-UFL80FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL80FA60

osa: 3449

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 65A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.49V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-15CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045SPBF

osa: 29469

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-113CNQ100ASLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-113CNQ100ASLPBF

osa: 7192

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 55A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 110A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-16CTU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04-M3

osa: 5323

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-63CPQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-63CPQ100-N3

osa: 6290

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 920mV @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-HFA140FA120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA140FA120

osa: 1343

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 70A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 4V @ 60A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VF30200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30200C-E3/4W

osa: 54100

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-UFL230FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL230FA60

osa: 3027

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 160A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.44V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
FEP30HP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30HP-E3/45

osa: 29672

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 500V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30CPQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ060-N3

osa: 12857

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VB60100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB60100C-M3/8W

osa: 43894

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 790mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30CPH03PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPH03PBF

osa: 28925

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 300V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VF20200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20200C-E3/4W

osa: 42102

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60100C-E3/4W

osa: 25349

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 790mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-UFB280FA20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB280FA20

osa: 3163

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 175A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 120A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VF30100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30100C-E3/4W

osa: 86118

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-40CPQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ045PBF

osa: 11484

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
SBL3040PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBL3040PT-E3/45

osa: 28497

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VF30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30150C-E3/4W

osa: 31197

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.36V @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020PBF

osa: 26251

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-25CTQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045SPBF

osa: 20628

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-UFB250FA60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB250FA60

osa: 3295

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 168A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.19V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VBT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT10200C-E3/4W

osa: 67197

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.6V @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista