Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot
VS-VSKC166/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC166/16PBF

osa: 1339

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 82.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.43V @ 259A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB3045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CTHE3_A/I

osa: 50477

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR4060PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR4060PT-E3/45

osa: 35899

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB1560CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CT-E3/45

osa: 113490

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 750mV @ 7.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKCU300/06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCU300/06PBF

osa: 417

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 435A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.96V @ 300A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKD91/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD91/06

osa: 2119

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2060CT-E3/45

osa: 94569

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKC71/06
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC71/06

osa: 2100

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VBT1045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1045C-M3/4W

osa: 114356

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB2060CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2060CTHE3_A/I

osa: 50481

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 800mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-UFL250AB60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFL250AB60

osa: 4250

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 130A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.44V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB1545CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CTHE3_A/P

osa: 105725

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 7.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 840mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB2045CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTHE3_A/I

osa: 79716

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBR30H35PT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H35PT-E3/45

osa: 59584

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 730mV @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKJS203/100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJS203/100

osa: 2015

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 990mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKD236/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD236/16PBF

osa: 1260

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 115A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRF2045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2045CTHE3/45

osa: 90560

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 650mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VB40100C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB40100C-M3/8W

osa: 58630

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 730mV @ 20A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKCS201/045
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKCS201/045

osa: 1929

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 720mV @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VBT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT2060G-E3/4W

osa: 189649

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VBT10202C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT10202C-M3/8W

osa: 76398

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 880mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKC56/10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/10

osa: 2170

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MB10H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB10H100CTHE3_A/I

osa: 71203

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 760mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKJ91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ91/14

osa: 1979

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKD236/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD236/08PBF

osa: 1232

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 115A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKC56/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC56/14

osa: 2195

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKJ56/14
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ56/14

osa: 2144

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 30A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKC91/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC91/16

osa: 2010

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-209CNQ135PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-209CNQ135PBF

osa: 1490

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 135V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.06V @ 100A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-30CTQ045-1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045-1PBF

osa: 36323

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MB30H100CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB30H100CTHE3_A/P

osa: 77658

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 820mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-UFB80FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-UFB80FA40

osa: 4793

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.39V @ 30A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKDS409/150
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKDS409/150

osa: 1014

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 150V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.03V @ 200A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-VSKD71/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD71/08

osa: 2109

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 40A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
MBRB25H35CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB25H35CTHE3_A/P

osa: 84771

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 35V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 640mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
VS-25CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045PBF

osa: 39042

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 45V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 15A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 560mV @ 15A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista