Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 11

2SA1930(Q,M)

osa: 150987

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 180V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1887(F)

osa: 6584

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1244-Y(Q)

osa: 6565

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1242-Y(Q)

osa: 6708

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6F(J

osa: 6350

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

osa: 6392

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

osa: 6324

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

osa: 6336

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 160V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

osa: 6349

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

osa: 6343

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-GR,LF

osa: 140733

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265-Y,LF

osa: 142540

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O,LF

osa: 116579

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-O(TE85L,F)

osa: 147650

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-Y,LF

osa: 193749

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

osa: 5659

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

osa: 163735

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 230V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

osa: 22720

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 230V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

osa: 96385

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 230V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-O(TE85L,F)

osa: 166553

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-GR,LF

osa: 198197

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

osa: 109658

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

osa: 189229

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5232BTE85LF

osa: 5292

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-BL(TE85L,F

osa: 6617

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVBTPL3Z

osa: 123818

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVATPL3Z

osa: 148939

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5549,T6F(J

osa: 5308

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 25mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 40mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5459(TOJS,Q,M)

osa: 5238

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3672-O(T2ASH,FM

osa: 5234

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(J

osa: 5270

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 230V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,WNLF(J

osa: 5274

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 230V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(J

osa: 5285

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

osa: 5224

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MITIFM

osa: 5266

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MIT1FM

osa: 5302

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 150V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista