Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit

Koti
Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-Y,LF

osa: 155661

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

osa: 100168

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-Y,LF

osa: 117289

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-Y(TE85L,F

osa: 155823

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN4C51J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C51J(TE85L,F)

osa: 171

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual) Common Base, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

osa: 167274

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN4C06J-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4C06J-BL(TE85L,F

osa: 141983

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FU-GR(T5L,F)

osa: 156520

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

osa: 4654

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

osa: 124479

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN2A01FU-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

osa: 4497

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN2C01FEYTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

osa: 4567

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN1C01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01F-GR(TE85L,F

osa: 178604

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

TPC6901(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6901(TE85L,F,M)

osa: 149134

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, 700mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-GR,LF

osa: 133632

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

osa: 4470

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN3C51F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

osa: 4484

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

TPCP8701(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8701(TE85L,F,M

osa: 131

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 300mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004APG,C,N

osa: 4503

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE-GR,LF

osa: 154422

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN2A01FE-GR(TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-GR(TE85LF

osa: 4508

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

HN4A56JU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

osa: 175513

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

58

«
1
2
»