Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 2

BAV70,LM

osa: 3367

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

osa: 3300

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 150mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

osa: 3315

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

osa: 151

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

osa: 111

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 10V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

osa: 99

Diodin kokoonpano: 2 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

osa: 125

Diodin kokoonpano: 2 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

osa: 196401

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

osa: 12490

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 6A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

osa: 146

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

osa: 10959

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 8A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 8A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

osa: 109

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

osa: 106201

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 140mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

osa: 105421

Diodin kokoonpano: 2 Pair CA + CC, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

osa: 159197

Diodin kokoonpano: 2 Pair CA + CC, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

osa: 171499

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

osa: 8001

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 12A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 12A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

osa: 7444

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

osa: 191091

Diodin kokoonpano: 2 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

osa: 124987

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

osa: 130979

Diodin kokoonpano: 2 Pair Series Connection, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

osa: 4548

Diodin kokoonpano: 2 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

osa: 166431

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 80mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

osa: 170816

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

osa: 16260

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 570mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

osa: 191404

Diodin kokoonpano: 2 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

osa: 127689

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 215mA, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

osa: 4160

Diodin kokoonpano: 2 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

osa: 4087

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 50mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

osa: 3899

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Cathode, Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 10A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

osa: 120020

Diodin kokoonpano: 1 Pair Common Anode, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

osa: 167920

Diodin kokoonpano: 1 Pair Series Connection, Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista