Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
NSS30201MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30201MR6T1G

osa: 181968

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 75mV @ 1mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA12RLRPG
ON Semiconductor

MPSA12RLRPG

osa: 6392

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
NSVBCX17LT1G
ON Semiconductor

NSVBCX17LT1G

osa: 194157

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
KST2484MTF
ON Semiconductor

KST2484MTF

osa: 6350

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
MJD3055G
ON Semiconductor

MJD3055G

osa: 6339

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

Toivomuslista
FJP5200OTU
ON Semiconductor

FJP5200OTU

osa: 6363

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 5µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Toivomuslista
MPSA63_D26Z
ON Semiconductor

MPSA63_D26Z

osa: 6579

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
MPSW45AZL1
ON Semiconductor

MPSW45AZL1

osa: 6423

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA42_D27Z
ON Semiconductor

MPSA42_D27Z

osa: 6507

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
KSB1097OTU
ON Semiconductor

KSB1097OTU

osa: 6066

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 1V,

Toivomuslista
MPSA14_D74Z
ON Semiconductor

MPSA14_D74Z

osa: 6482

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
FJL6825TU
ON Semiconductor

FJL6825TU

osa: 6123

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 750V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 12A, 5V,

Toivomuslista
MPSW45RLREG
ON Semiconductor

MPSW45RLREG

osa: 6390

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25000 @ 200mA, 5V,

Toivomuslista
MPS8599G
ON Semiconductor

MPS8599G

osa: 6383

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
KSC2328AYBU
ON Semiconductor

KSC2328AYBU

osa: 146507

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista
MBT35200MT2G
ON Semiconductor

MBT35200MT2G

osa: 140751

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

Toivomuslista
MPS8599
ON Semiconductor

MPS8599

osa: 6389

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA12_D26Z
ON Semiconductor

MPSA12_D26Z

osa: 6483

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
FJAF6806DYDTBTU
ON Semiconductor

FJAF6806DYDTBTU

osa: 6101

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 750V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4 @ 4A, 5V,

Toivomuslista
MJD44H11T5
ON Semiconductor

MJD44H11T5

osa: 6340

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Toivomuslista
MPSA55_D26Z
ON Semiconductor

MPSA55_D26Z

osa: 6515

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
TIP100
ON Semiconductor

TIP100

osa: 6462

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
FJAF6808DYDTU
ON Semiconductor

FJAF6808DYDTU

osa: 6084

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 750V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 1.2A, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

Toivomuslista
KSD569RTU
ON Semiconductor

KSD569RTU

osa: 6118

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

Toivomuslista
KSD568YTU
ON Semiconductor

KSD568YTU

osa: 6113

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Toivomuslista
MMBTA55LT3
ON Semiconductor

MMBTA55LT3

osa: 6711

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
MJD117-1G
ON Semiconductor

MJD117-1G

osa: 107733

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Toivomuslista
MJE18006
ON Semiconductor

MJE18006

osa: 6401

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V,

Toivomuslista
NSCT817-25LT1G
ON Semiconductor

NSCT817-25LT1G

osa: 6424

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
FMMT449
ON Semiconductor

FMMT449

osa: 125802

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista
MPSA28RLRPG
ON Semiconductor

MPSA28RLRPG

osa: 6406

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
MMBT3640_D87Z
ON Semiconductor

MMBT3640_D87Z

osa: 6525

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

Toivomuslista
MPSL01_D27Z
ON Semiconductor

MPSL01_D27Z

osa: 6537

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
MPS6523
ON Semiconductor

MPS6523

osa: 6452

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

Toivomuslista
MPSA14
ON Semiconductor

MPSA14

osa: 6468

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
FJPF13007H1
ON Semiconductor

FJPF13007H1

osa: 6146

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V,

Toivomuslista