Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

MPSA13RLRM

osa: 6438

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

SJD112T4G

osa: 114256

NSCT2907ALT3G

osa: 6662

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CPH3212-TL-E

osa: 167787

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 150mV @ 40mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

P2N2907A

osa: 6443

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

NJVBDX53C

osa: 6401

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

MPSA05_D26Z

osa: 6516

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

NSCT3906LT1G

osa: 6394

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

FJPF13009TTU

osa: 6205

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

MMBT2222LT3G

osa: 6376

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

PN100A_D75Z

osa: 6553

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

FJA3835TU

osa: 6701

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 4V,

MPSH34_D26Z

osa: 6523

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 7mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V,

MPSA63ZL1

osa: 6376

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

MPSA56_D26Z

osa: 6542

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

MPS2907ARLREG

osa: 6349

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

FJP5027TU

osa: 6663

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 800V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V,

KSB1097YTU

osa: 6112

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

NJVMJD340T4G-VF01

osa: 164201

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

MMBT6427LT3

osa: 6375

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

MPS6531_D26Z

osa: 6726

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

D44H10TU

osa: 6457

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V,

MMBTA70LT1G

osa: 6731

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V,

KSC5338DWTM

osa: 6072

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V,

MJD117RLG

osa: 6464

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

FJPF6806DTU

osa: 6154

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 750V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4 @ 4A, 5V,

SBC847BLT1G

osa: 189076

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

CPH3205-M-TL-E

osa: 114929

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

MPSA14G

osa: 6411

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

PCP1208-TD-H

osa: 155523

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 35mA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

KSC4010OTU

osa: 6080

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

MPS8599RLRAG

osa: 6170

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

FJAF6820TU

osa: 6091

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 750V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V,

NSVBC857CWT1G

osa: 130624

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

KSC4010RTU

osa: 6145

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

KSE5741TU

osa: 6125

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 350V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 400mA, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 4A, 5V,