Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
FJPF13007H1TU
ON Semiconductor

FJPF13007H1TU

osa: 6132

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V,

Toivomuslista
KSB708YTU
ON Semiconductor

KSB708YTU

osa: 6133

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Toivomuslista
MPSA18_D26Z
ON Semiconductor

MPSA18_D26Z

osa: 6503

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
MJD50
ON Semiconductor

MJD50

osa: 6641

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 200µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Toivomuslista
NSVMMBT6429LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT6429LT1G

osa: 181113

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V,

Toivomuslista
MPSA06G
ON Semiconductor

MPSA06G

osa: 6447

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
FJL6920YDTU
ON Semiconductor

FJL6920YDTU

osa: 6155

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 800V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V,

Toivomuslista
FJP5021RV
ON Semiconductor

FJP5021RV

osa: 6088

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 500V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 600mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA29_D27Z
ON Semiconductor

MPSA29_D27Z

osa: 6476

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
TIP102TSTU
ON Semiconductor

TIP102TSTU

osa: 6141

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
MSB92T1
ON Semiconductor

MSB92T1

osa: 6384

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
FJD3076TF
ON Semiconductor

FJD3076TF

osa: 6736

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 32V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 130 @ 500mA, 3V,

Toivomuslista
FJAF4310RTU
ON Semiconductor

FJAF4310RTU

osa: 6169

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

Toivomuslista
MPSA93_D26Z
ON Semiconductor

MPSA93_D26Z

osa: 6559

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
MPSA42RLRP
ON Semiconductor

MPSA42RLRP

osa: 6427

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

Toivomuslista
MPS751ZL1G
ON Semiconductor

MPS751ZL1G

osa: 6368

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
KSC3552RTU
ON Semiconductor

KSC3552RTU

osa: 6125

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 800V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.2A, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 800mA, 5V,

Toivomuslista
KSA1010Y
ON Semiconductor

KSA1010Y

osa: 6125

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 5V,

Toivomuslista
MPSA55
ON Semiconductor

MPSA55

osa: 6477

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
MPS2222ARLRPG
ON Semiconductor

MPS2222ARLRPG

osa: 6415

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
NSS12600CF8T1G
ON Semiconductor

NSS12600CF8T1G

osa: 6503

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 170mV @ 400mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
MPS6515_D27Z
ON Semiconductor

MPS6515_D27Z

osa: 6548

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V,

Toivomuslista
FJN13003TA
ON Semiconductor

FJN13003TA

osa: 1656

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista
MPSA14_D26Z
ON Semiconductor

MPSA14_D26Z

osa: 6468

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA65_D27Z
ON Semiconductor

MPSA65_D27Z

osa: 6522

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA14_D75Z
ON Semiconductor

MPSA14_D75Z

osa: 6528

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA06RLG
ON Semiconductor

MPSA06RLG

osa: 6385

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
FJN3303TA
ON Semiconductor

FJN3303TA

osa: 6134

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista
CPH3140-TL-E
ON Semiconductor

CPH3140-TL-E

osa: 138309

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 40mA, 400mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
MJ14001G
ON Semiconductor

MJ14001G

osa: 6387

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V,

Toivomuslista
KSB707YTU
ON Semiconductor

KSB707YTU

osa: 6386

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

Toivomuslista
KSH30TF
ON Semiconductor

KSH30TF

osa: 6694

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Toivomuslista
MPSA18RLRAG
ON Semiconductor

MPSA18RLRAG

osa: 6157

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
MPS6515_D74Z
ON Semiconductor

MPS6515_D74Z

osa: 6544

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 10V,

Toivomuslista
MPSA27
ON Semiconductor

MPSA27

osa: 6461

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA27RLRAG
ON Semiconductor

MPSA27RLRAG

osa: 6611

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista