Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single
KSA812YMTF
ON Semiconductor

KSA812YMTF

osa: 193637

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V,

Toivomuslista
MPS6562_D75Z
ON Semiconductor

MPS6562_D75Z

osa: 6456

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V,

Toivomuslista
MJD117
ON Semiconductor

MJD117

osa: 6329

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 20µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

Toivomuslista
MPSA55_D74Z
ON Semiconductor

MPSA55_D74Z

osa: 6474

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
MPS651G
ON Semiconductor

MPS651G

osa: 6442

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V,

Toivomuslista
MPS2222AZL1
ON Semiconductor

MPS2222AZL1

osa: 6433

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
CPH3223-TL-E
ON Semiconductor

CPH3223-TL-E

osa: 196089

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
MPS8098G
ON Semiconductor

MPS8098G

osa: 6446

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
MPS6531_D75Z
ON Semiconductor

MPS6531_D75Z

osa: 6496

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor

NJVMJD45H11D3T4G

osa: 13146

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

Toivomuslista
MPS6513_D74Z
ON Semiconductor

MPS6513_D74Z

osa: 6484

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 2mA, 10V,

Toivomuslista
MPSW55RLRA
ON Semiconductor

MPSW55RLRA

osa: 6414

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

Toivomuslista
FJPF13007H2TTU
ON Semiconductor

FJPF13007H2TTU

osa: 6208

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

Toivomuslista
PN2222ARLRMG
ON Semiconductor

PN2222ARLRMG

osa: 6439

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista
MPS6725RLRPG
ON Semiconductor

MPS6725RLRPG

osa: 6440

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

Toivomuslista
MPSA13RLRAG
ON Semiconductor

MPSA13RLRAG

osa: 6149

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
SBF720T1G
ON Semiconductor

SBF720T1G

osa: 172301

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

Toivomuslista
MPSW01ARLRP
ON Semiconductor

MPSW01ARLRP

osa: 6459

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
MPSA28_D27Z
ON Semiconductor

MPSA28_D27Z

osa: 6486

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
FJP5021OV
ON Semiconductor

FJP5021OV

osa: 6082

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 500V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

Toivomuslista
KSC2330ASHBU
ON Semiconductor

KSC2330ASHBU

osa: 6725

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

Toivomuslista
MPS6523G
ON Semiconductor

MPS6523G

osa: 6713

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

Toivomuslista
MPSA92_J22Z
ON Semiconductor

MPSA92_J22Z

osa: 6571

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
FJP13007H1
ON Semiconductor

FJP13007H1

osa: 6066

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 5V,

Toivomuslista
MJE18006G
ON Semiconductor

MJE18006G

osa: 6359

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 6 @ 3A, 1V,

Toivomuslista
NJVMJD50T4G
ON Semiconductor

NJVMJD50T4G

osa: 148769

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 200µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

Toivomuslista
MPSA42_J22Z
ON Semiconductor

MPSA42_J22Z

osa: 6503

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
MPSA92RLRP
ON Semiconductor

MPSA92RLRP

osa: 6407

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 250nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista
MPSA28_D75Z
ON Semiconductor

MPSA28_D75Z

osa: 6502

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA13_D74Z
ON Semiconductor

MPSA13_D74Z

osa: 6475

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
NSVT489AMT1G
ON Semiconductor

NSVT489AMT1G

osa: 184776

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista
KSD5018TU
ON Semiconductor

KSD5018TU

osa: 6087

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 275V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1mA,

Toivomuslista
NSCT817-40LT3G
ON Semiconductor

NSCT817-40LT3G

osa: 6403

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista
PN100_D75Z
ON Semiconductor

PN100_D75Z

osa: 6733

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 5V,

Toivomuslista
MPSA29_D75Z
ON Semiconductor

MPSA29_D75Z

osa: 6480

Transistorin tyyppi: NPN - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista
KSB708OTU
ON Semiconductor

KSB708OTU

osa: 6613

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 1V,

Toivomuslista