Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMSZ20T1G
ON Semiconductor

MMSZ20T1G

osa: 166444

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 55 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z3V9C
ON Semiconductor

MM3Z3V9C

osa: 113526

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 84 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.7µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5256BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5256BLT1G

osa: 180360

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 49 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ16T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ16T1G

osa: 109833

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C6V2LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C6V2LT1G

osa: 155690

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z33VT1G
ON Semiconductor

MM5Z33VT1G

osa: 169284

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±6.1%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 23.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10A,

Toivomuslista
MMBZ5260BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5260BLT1G

osa: 117487

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 93 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z4V7ST1G
ON Semiconductor

MM5Z4V7ST1G

osa: 111606

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84B5V1LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84B5V1LT1G

osa: 136775

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C7V5LT3G
ON Semiconductor

SZBZX84C7V5LT3G

osa: 163389

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C6V8ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C6V8ET1G

osa: 115481

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4684ET3
ON Semiconductor

MMSZ4684ET3

osa: 4991

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 7.5µA @ 1.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z39VC
ON Semiconductor

MM3Z39VC

osa: 102053

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 122 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 27.3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z4V3C
ON Semiconductor

MM3Z4V3C

osa: 107273

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 84 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.7µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5246BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5246BLT1G

osa: 166245

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MZP4735ARL
ON Semiconductor

MZP4735ARL

osa: 4945

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 2 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
FLZ30VD
ON Semiconductor

FLZ30VD

osa: 4998

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 29.8V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 46 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 133nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ4693T3G
ON Semiconductor

MMSZ4693T3G

osa: 139612

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 5.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5221BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5221BT1G

osa: 185179

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z11VST1G
ON Semiconductor

MM3Z11VST1G

osa: 38768

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C51LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C51LT1G

osa: 189443

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 51V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 180 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 35.7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z30VC
ON Semiconductor

MM3Z30VC

osa: 162334

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 75 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5221BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5221BLT1G

osa: 130140

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ4704T3G
ON Semiconductor

SZMMSZ4704T3G

osa: 103498

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z27VT1G
ON Semiconductor

SZMM3Z27VT1G

osa: 157729

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ56T1G
ON Semiconductor

MMSZ56T1G

osa: 174711

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 200 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 39.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZ1SMB5924BT3G-VF01
ON Semiconductor

SZ1SMB5924BT3G-VF01

osa: 110278

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 4 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
SZBZX84C3V9ET3G
ON Semiconductor

SZBZX84C3V9ET3G

osa: 162603

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5221BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5221BLT1G

osa: 113617

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5249BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5249BLT1G

osa: 107796

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 19V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SMMSZ4690T1G
ON Semiconductor

SMMSZ4690T1G

osa: 169592

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C8V2ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C8V2ET1G

osa: 119310

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 700nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5226BLT3G
ON Semiconductor

MMBZ5226BLT3G

osa: 4983

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C9V1LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C9V1LT1G

osa: 192579

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z33VC
ON Semiconductor

MM3Z33VC

osa: 104076

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 75 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z7V5C
ON Semiconductor

MM3Z7V5C

osa: 188304

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 14 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 900nA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista