Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMBZ5250BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5250BLT1G

osa: 173120

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 15V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ9F3V3ST5G
ON Semiconductor

NZ9F3V3ST5G

osa: 191576

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 250mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5246BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5246BLT1G

osa: 170520

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z5V1T1G
ON Semiconductor

MM5Z5V1T1G

osa: 157392

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5.9%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z5V1ST1G
ON Semiconductor

SZMM3Z5V1ST1G

osa: 166017

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4689T1G
ON Semiconductor

MMSZ4689T1G

osa: 140350

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4692T1G
ON Semiconductor

MMSZ4692T1G

osa: 130664

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 5.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z75VB
ON Semiconductor

MM3Z75VB

osa: 177149

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 75V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 240 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 52.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5236BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5236BLT1G

osa: 112297

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 6 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z3V3ST1G
ON Semiconductor

MM3Z3V3ST1G

osa: 196312

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C4V7LT1G
ON Semiconductor

SZBZX84C4V7LT1G

osa: 155139

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5260BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5260BT1G

osa: 195504

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 93 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 33V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZ1SMB5937BT3G-VF01
ON Semiconductor

SZ1SMB5937BT3G-VF01

osa: 133724

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 3W, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 25.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.5V @ 200mA,

Toivomuslista
MMSZ4711T1G
ON Semiconductor

MMSZ4711T1G

osa: 144698

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 20.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5241BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5241BT1G

osa: 180368

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 22 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 8.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z6V2B
ON Semiconductor

MM3Z6V2B

osa: 119760

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 9 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.7µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5270BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5270BLT1G

osa: 137563

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 91V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 400 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 69V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
NZ3F75VT1G
ON Semiconductor

NZ3F75VT1G

osa: 155467

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 75V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 800mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 155 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 52.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5240BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5240BT1G

osa: 107600

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z47VT1G
ON Semiconductor

MM5Z47VT1G

osa: 138854

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±6.4%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 32.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5231BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5231BT1G

osa: 120485

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM3Z5V1T1G
ON Semiconductor

SZMM3Z5V1T1G

osa: 196801

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5244BT1G
ON Semiconductor

MMSZ5244BT1G

osa: 174456

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4686T1G
ON Semiconductor

MMSZ4686T1G

osa: 198645

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z2V7T1G
ON Semiconductor

MM3Z2V7T1G

osa: 137172

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z4V7T1G
ON Semiconductor

MM3Z4V7T1G

osa: 125873

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZBZX84C47ET1G
ON Semiconductor

SZBZX84C47ET1G

osa: 177062

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 170 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 32.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZNZ3F47VT1G
ON Semiconductor

SZNZ3F47VT1G

osa: 131768

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±6.38%, Teho - maks: 800mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 32.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z5V1B
ON Semiconductor

MM3Z5V1B

osa: 150413

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 56 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1.8µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ43T1G
ON Semiconductor

MMSZ43T1G

osa: 100933

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 30.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z56VB
ON Semiconductor

MM3Z56VB

osa: 174328

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 188 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 39.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z4V7B
ON Semiconductor

MM3Z4V7B

osa: 193795

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 75 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.7µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
NZ3F4V7T1G
ON Semiconductor

NZ3F4V7T1G

osa: 154380

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±6.38%, Teho - maks: 800mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z16VT1G
ON Semiconductor

MM5Z16VT1G

osa: 120401

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5.6%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z3V9ST1G
ON Semiconductor

MM3Z3V9ST1G

osa: 125515

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z4V7C
ON Semiconductor

MM3Z4V7C

osa: 168284

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 75 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2.7µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista