Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
SZMM5Z9V1T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z9V1T1G

osa: 190631

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5256BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5256BT1G

osa: 150472

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 49 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 23V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5251BLT1G
ON Semiconductor

MMBZ5251BLT1G

osa: 186895

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 29 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z4V3ST1G
ON Semiconductor

MM5Z4V3ST1G

osa: 7625

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4706T1G
ON Semiconductor

MMSZ4706T1G

osa: 129187

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 19V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 14.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5246BT3
ON Semiconductor

MMSZ5246BT3

osa: 7630

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 12V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ3V6T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ3V6T1G

osa: 170882

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5255BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5255BT1G

osa: 156285

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 28V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 44 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5242BLT3
ON Semiconductor

MMBZ5242BLT3

osa: 7658

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z2V4T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z2V4T1G

osa: 197865

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±8.3%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5244ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5244ET1G

osa: 158381

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5240ELT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5240ELT1G

osa: 184182

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMBZ5257BLT1G
ON Semiconductor

SZMMBZ5257BLT1G

osa: 139269

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 58 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 25V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5252ET1G
ON Semiconductor

MMSZ5252ET1G

osa: 108196

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5247BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5247BT1G

osa: 123026

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z9V1ST1G
ON Semiconductor

SZMM5Z9V1ST1G

osa: 162982

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ3V3T1G
ON Semiconductor

MMSZ3V3T1G

osa: 181856

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ4683T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4683T1G

osa: 147829

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 800nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 100mA,

Toivomuslista
MM3Z3V3C
ON Semiconductor

MM3Z3V3C

osa: 164522

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 89 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 4.5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5267BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5267BT1G

osa: 115324

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 75V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 270 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 56V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z24VT1G
ON Semiconductor

SZMM5Z24VT1G

osa: 112888

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 16.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5258CT1G
ON Semiconductor

MMSZ5258CT1G

osa: 141524

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5245ET1G
ON Semiconductor

MMSZ5245ET1G

osa: 141497

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5238BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5238BT1G

osa: 121633

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5235ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5235ELT1G

osa: 7552

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z24VC
ON Semiconductor

MM3Z24VC

osa: 124999

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 65 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 45nA @ 16.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ15T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ15T1G

osa: 167958

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5226BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5226BT1G

osa: 147460

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 28 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 25µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5228ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5228ELT1G

osa: 7491

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z3V6T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z3V6T1G

osa: 121602

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±5.6%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ4709T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4709T1G

osa: 181078

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 18.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ4691T1G
ON Semiconductor

SZMMSZ4691T1G

osa: 164302

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5252ET1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5252ET1G

osa: 170067

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMM5Z4V7T1G
ON Semiconductor

SZMM5Z4V7T1G

osa: 179732

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±6.4%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5231ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5231ELT1G

osa: 108999

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
SZMMSZ5244BT1G
ON Semiconductor

SZMMSZ5244BT1G

osa: 127410

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista