Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MM5Z39VT1G
ON Semiconductor

MM5Z39VT1G

osa: 8250

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5.1%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 130 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 27.3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4688ET1G
ON Semiconductor

MMSZ4688ET1G

osa: 8223

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4690ET1
ON Semiconductor

MMSZ4690ET1

osa: 8225

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4678T1
ON Semiconductor

MMSZ4678T1

osa: 8105

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 1.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 7.5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z9V1T1
ON Semiconductor

MM5Z9V1T1

osa: 8205

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ16ET1
ON Semiconductor

MMSZ16ET1

osa: 8201

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5243BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5243BLT1

osa: 8144

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5244ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5244ELT1

osa: 8214

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4694T1
ON Semiconductor

MMSZ4694T1

osa: 8082

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 6.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ10ET1
ON Semiconductor

MMSZ10ET1

osa: 8226

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 20 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 200nA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z6V8ST1
ON Semiconductor

MM5Z6V8ST1

osa: 8157

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5232ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5232ELT1G

osa: 8244

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 11 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z6V2ST1
ON Semiconductor

MM3Z6V2ST1

osa: 8174

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5223BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5223BLT1

osa: 8092

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 75µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z2V7T1
ON Semiconductor

MM5Z2V7T1

osa: 8167

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 20µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4697T1
ON Semiconductor

MMSZ4697T1

osa: 8123

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 7.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z16VT1
ON Semiconductor

MM3Z16VT1

osa: 8139

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 11.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5237BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5237BLT1

osa: 8156

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 8 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 6.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5228BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5228BLT1

osa: 3816

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.9V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 23 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5232ET1G
ON Semiconductor

MMSZ5232ET1G

osa: 8264

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 11 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4683T1
ON Semiconductor

MMSZ4683T1

osa: 8109

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 800nA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5232BT1
ON Semiconductor

MMSZ5232BT1

osa: 8088

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 11 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5254ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5254ELT1G

osa: 8271

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 41 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4703T1
ON Semiconductor

MMSZ4703T1

osa: 8164

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5258BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5258BLT1

osa: 8086

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 27V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5221ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5221ELT1

osa: 8157

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5235ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5235ELT1

osa: 8169

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 5 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4688T1
ON Semiconductor

MMSZ4688T1

osa: 8133

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z15VT1
ON Semiconductor

MM3Z15VT1

osa: 8076

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 10.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5263ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5263ELT1G

osa: 8181

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 56V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 150 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 43V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z2V7ST1
ON Semiconductor

MM3Z2V7ST1

osa: 8176

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.7V, Toleranssi: ±4%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4699ET1
ON Semiconductor

MMSZ4699ET1

osa: 5443

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5254BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5254BLT1

osa: 8111

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 41 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5255ELT1G
ON Semiconductor

MMBZ5255ELT1G

osa: 8187

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 28V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 44 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z75VT1
ON Semiconductor

MM5Z75VT1

osa: 8155

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 75V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 255 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 52.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z12VT1
ON Semiconductor

MM3Z12VT1

osa: 8134

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 25 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista