Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
MMSZ24ET1
ON Semiconductor

MMSZ24ET1

osa: 8178

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 70 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 16.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z5V1T1
ON Semiconductor

MM5Z5V1T1

osa: 8215

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.1V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5252BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5252BLT1

osa: 8162

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4688ET1
ON Semiconductor

MMSZ4688ET1

osa: 8179

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.7V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5245BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5245BLT1

osa: 8085

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 16 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ3V3T1
ON Semiconductor

MMSZ3V3T1

osa: 8147

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ3V3ET1
ON Semiconductor

MMSZ3V3ET1

osa: 8195

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 95 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z5V6T1
ON Semiconductor

MM5Z5V6T1

osa: 8218

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±7%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5244BT1
ON Semiconductor

MMSZ5244BT1

osa: 8141

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 14V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5259BT1
ON Semiconductor

MMSZ5259BT1

osa: 8063

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 30V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5265BT1
ON Semiconductor

MMSZ5265BT1

osa: 8111

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 62V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 185 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 47V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z7V5ST1
ON Semiconductor

MM5Z7V5ST1

osa: 8238

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5225BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5225BLT1

osa: 8079

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 29 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5261BT1
ON Semiconductor

MMSZ5261BT1

osa: 8065

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 105 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 36V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ2V4T1
ON Semiconductor

MMSZ2V4T1

osa: 8120

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5247BT1
ON Semiconductor

MMSZ5247BT1

osa: 8066

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z4V3ST1
ON Semiconductor

MM3Z4V3ST1

osa: 8119

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 4.3V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z6V2ST1
ON Semiconductor

MM5Z6V2ST1

osa: 8167

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 10 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5252ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5252ELT1

osa: 8196

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 33 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 18V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ4711ET1
ON Semiconductor

MMSZ4711ET1

osa: 8162

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10nA @ 20.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ27ET1
ON Semiconductor

MMSZ27ET1

osa: 8225

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 80 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 18.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5232BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5232BLT1

osa: 8157

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 11 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5243ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5243ELT1

osa: 8178

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5242BT1
ON Semiconductor

MMSZ5242BT1

osa: 8081

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 9.1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5247BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5247BLT1

osa: 8165

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 17V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 19 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5248ELT1
ON Semiconductor

MMBZ5248ELT1

osa: 8230

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 21 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z2V4T1
ON Semiconductor

MM5Z2V4T1

osa: 5394

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 2.4V, Toleranssi: ±8%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 100 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z18VT1
ON Semiconductor

MM3Z18VT1

osa: 8194

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 45 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 50nA @ 12.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5270BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5270BLT1

osa: 8145

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 91V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 400 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 69V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5243BT1
ON Semiconductor

MMSZ5243BT1

osa: 3823

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 13 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500nA @ 9.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5254BT1
ON Semiconductor

MMSZ5254BT1

osa: 8062

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 41 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 100nA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMBZ5234BLT1
ON Semiconductor

MMBZ5234BLT1

osa: 5424

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 225mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 7 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z6V8T1
ON Semiconductor

MM5Z6V8T1

osa: 3827

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±6%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 15 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 2µA @ 4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM3Z3V6ST1G
ON Semiconductor

MM3Z3V6ST1G

osa: 3855

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 3.6V, Toleranssi: ±3%, Teho - maks: 300mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 90 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MM5Z5V6ST1
ON Semiconductor

MM5Z5V6ST1

osa: 8168

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 5.6V, Toleranssi: ±2%, Teho - maks: 200mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1µA @ 2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista
MMSZ5240ET1G
ON Semiconductor

MMSZ5240ET1G

osa: 8215

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±5%, Teho - maks: 500mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 17 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 3µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 900mV @ 10mA,

Toivomuslista