Muisti

MT53B4DBNQ-DC TR

osa: 1421

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR

osa: 5760

MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR

osa: 3839

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR

osa: 955

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

EDFB232A1MA-JD-F-R TR

osa: 685

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

osa: 13452

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 533MHz,

MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR

osa: 7731

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 4Gb (64M x 64), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29F256G08CEEABH6-12IT:A TR

osa: 8571

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29F512G08CMECBH7-12:C

osa: 1096

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

EDFP164A3PD-GD-F-R TR

osa: 831

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 800MHz,

MT49H64M9FM-25E:B TR

osa: 952

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (64M x 9), Kellotaajuus: 400MHz,

MT29F256G08CJAABWP-12:A TR

osa: 352

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D

osa: 9080

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

EDF8132A3PK-GD-F-D

osa: 2972

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 800MHz,

MT52L256M32D1PD-107 WT:B TR

osa: 7195

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F128G08CEEDBJ4-12:D TR

osa: 4657

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

osa: 2152

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT25QU512ABB8E12-1SIT TR

osa: 14485

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

EDFB232A1MA-JD-F-D

osa: 3303

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR

osa: 8740

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT29F128G08CFABBWP-12IT:B

osa: 4413

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR

osa: 9246

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR

osa: 9186

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT29F512G08CMEABH7-12IT:A TR

osa: 6707

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B TR

osa: 718

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1.125Tb (144G x 8),

MT29F512G08CMEABH7-12:A

osa: 9729

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR

osa: 3452

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

EDFB164A1MA-JD-F-D

osa: 3073

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT25QU02GCBB8E12-0SIT TR

osa: 4219

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

EDF8164A3PK-GD-F-R TR

osa: 5988

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (128M x 64), Kellotaajuus: 800MHz,

MT29F1T08CQCBBG2-6R:B TR

osa: 5316

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT35XL01GBBA3G12-0SIT TR

osa: 7267

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

osa: 6582

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 166MHz,

MT29F128G08CECGBJ4-37ES:G TR

osa: 4685

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MTFC128GAJAEDN-AIT TR

osa: 652

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8),

EDW2032BBBG-6A-F-D

osa: 8319

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 2Gb (64M x 32), Kellotaajuus: 1.5GHz,