Muisti

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

osa: 1950

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 768Gb (96G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

EDFA232A2PF-GD-F-D

osa: 3337

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 800MHz,

MT29F512G08CKECBH7-12:C TR

osa: 1119

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR

osa: 1034

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1.5Tb (192G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

EMFA164A2PB-DV-F-D

osa: 2530

EDF4432ACPE-GD-F-D

osa: 3056

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 800MHz,

N25Q512A83G12A0F TR

osa: 8263

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

PC28F256P30B2E

osa: 14042

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 52MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 100ns,

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

osa: 4401

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT29F256G08CKCBBH2-10:B

osa: 9258

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

M29DW256G70NF3E

osa: 8333

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

osa: 14901

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Gb (64M x 16),

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

osa: 9417

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR

osa: 7257

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

osa: 2273

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT49H16M18CFM-25:B TR

osa: 634

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 288Mb (16M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

EDF8164A3MA-JD-F-D

osa: 3724

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (128M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F8G08ABABAWP-AATX:B

osa: 70

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 8Gb (1G x 8),

N25Q064A13E12D0E

osa: 2551

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (16M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

N25Q256A83ESF40E

osa: 22877

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT29F64G08CFACBWP-12:C TR

osa: 10074

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

osa: 9126

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

osa: 537

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 3Tb (384G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT25QL512ABA8E12-1SIT TR

osa: 8976

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

osa: 7680

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29F128G08CFABAWP-IT:B

osa: 8781

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MTFC16GAKAECN-5M AIT

osa: 3072

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT29F512G08CUCABH3-10:A

osa: 9747

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

N25Q008A11ESC40FS01 TR

osa: 75721

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MTFC16GALAJEA-WT TR

osa: 5442

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A

osa: 8887

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR

osa: 4553

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

N25Q064A11ESECFF TR

osa: 82307

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (16M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

osa: 988

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1.5Tb (192G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR

osa: 275

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 6Tb (768G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT49H32M18CFM-25:B TR

osa: 757

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,