Muisti

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

osa: 9118

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

N25Q032A11EF440E

osa: 3857

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (8M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR

osa: 8892

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8),

EDF8132A3PB-GD-F-D

osa: 3241

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 800MHz,

MT29F64G08CECDBJ4-10:D

osa: 8964

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

osa: 9578

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

osa: 2168

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

EDF8132A3PD-GD-F-D

osa: 3189

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 800MHz,

MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR

osa: 2492

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

EDFA112A2PD-JD-F-D

osa: 2549

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (128M x 128), Kellotaajuus: 933MHz,

MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR

osa: 2261

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT42L128M32D1TK-25 IT:A TR

osa: 7576

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 400MHz,

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

osa: 3734

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 384Gb (48G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR

osa: 6234

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT49H32M18CSJ-25E:B

osa: 1569

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

osa: 8848

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR

osa: 438

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 3Tb (384G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR

osa: 6103

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Gb (256M x 8),

EDFA164A2PF-JD-F-D

osa: 2789

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

EDFA232A2PB-JD-F-R TR

osa: 9115

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

EDFA164A2MA-GD-F-R TR

osa: 246

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 800MHz,

MT40A512M8RH-062E:B TR

osa: 3876

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 1.6GHz,

MT29F128G08CBECBH6-12:C

osa: 4356

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

osa: 4397

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT28HL16GJBA3ERK-0SCT

osa: 4080

MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR

osa: 13121

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Gb (256M x 8),

MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR

osa: 499

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT29F32G08ABAAAWP:A TR

osa: 9395

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8),

MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR

osa: 11430

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

N25Q064A13EW7D0E

osa: 3899

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (16M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR

osa: 9405

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

osa: 2570

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 24Gb (768M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

EDFA164A2MA-JD-F-D

osa: 3786

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

EDW4032BABG-60-F-R TR

osa: 7882

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 1.5GHz,

MT29F256G08CKCABH2-10:A TR

osa: 8070

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT29F128G08CECGBJ4-5M:G

osa: 5290

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),