Muisti

N25Q032A13ESCA0F TR

osa: 52039

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (8M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT49H8M36SJ-25:B

osa: 3240

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 288Mb (8M x 36), Kellotaajuus: 400MHz,

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

osa: 33430

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT41K2G4SN-125:A TR

osa: 4965

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 8Gb (2G x 4), Kellotaajuus: 800MHz,

MT29F128G08CBCBBH6-6ITC:B

osa: 8972

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8), Kellotaajuus: 166MHz,

JS28F256P30T2E

osa: 17181

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 40MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 110ns,

MT41K512M8DA-107 XIT:P

osa: 4972

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 933MHz,

MT47H32M16NF-187E:H TR

osa: 4992

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B

osa: 3519

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

RC28F256P30TFF TR

osa: 12544

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 52MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 100ns,

MT42L128M32D1U80MWC1

osa: 3237

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 4Gb (128M x 32),

MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

osa: 2495

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 288Mb (16M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

MTFC8GACAANA-4M IT

osa: 5132

MT28EW512ABA1HPC-1SIT

osa: 13511

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

N25Q128A13BSFH0F

osa: 6958

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

N25Q032A13EV740

osa: 8409

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (8M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

N25Q032A13EV140

osa: 8462

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (8M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT42L128M64D2LN-18 WT:A

osa: 3272

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 8Gb (128M x 64), Kellotaajuus: 533MHz,

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

osa: 5074

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,

MT42L32M16D1U67MWC2

osa: 6464

MTFC4GMDEA-4M IT TR

osa: 6308

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8),

PN28F256M29EWHD

osa: 20056

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 100ns,

MT28GU256AAA2EGC-0SIT

osa: 10995

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR

osa: 3990

MT40A512M16JY-083E AIT:B TR

osa: 3086

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT53B256M32D1NP-062 WT:C

osa: 94

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

N25Q064A13EW9D0F TR

osa: 8662

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (16M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT25TL512HAA1ESF-0AAT

osa: 6948

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT29F1T08CQCCBG2-6C:C

osa: 3559

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

N25Q128A11EF840F TR

osa: 34560

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT25QL128ABA8ESF-0SIT

osa: 37045

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E

osa: 109

MT29F256G08CECBBH6-6R:B

osa: 2660

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

N25Q128A13ESFA0F TR

osa: 23309

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR

osa: 6845

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT49H64M9SJ-25E:B

osa: 1665

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (64M x 9), Kellotaajuus: 400MHz,