Muisti

MT48LC8M16LFTG-75:G TR

MT48LC8M16LFTG-75:G TR

osa: 2156

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V32M8TG-75 IT:G

MT46V32M8TG-75 IT:G

osa: 7282

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT28F320J3BS-11 MET

MT28F320J3BS-11 MET

osa: 2502

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Toivomuslista
MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

osa: 8679

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (64M x 4), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V32M16P-75 L:C

MT46V32M16P-75 L:C

osa: 6700

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC32M8A2P-6A:D

MT48LC32M8A2P-6A:D

osa: 299

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
MT48V4M32LFB5-10 IT:G

MT48V4M32LFB5-10 IT:G

osa: 2953

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

osa: 4830

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

osa: 3545

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
MT46V32M16P-5B:C

MT46V32M16P-5B:C

osa: 6597

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

osa: 2361

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT46V32M8FG-6 L:G

MT46V32M8FG-6 L:G

osa: 3739

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

osa: 239

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 166MHz,

Toivomuslista
MT28F800B3WG-9 B TR

MT28F800B3WG-9 B TR

osa: 3975

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 90ns,

Toivomuslista
MT48LC2M32B2TG-5:G

MT48LC2M32B2TG-5:G

osa: 10064

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 200MHz,

Toivomuslista
MT48H4M16LFB4-8 IT

MT48H4M16LFB4-8 IT

osa: 9090

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V64M16TG-6T:A TR

MT46V64M16TG-6T:A TR

osa: 7546

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC8M16A2TG-75:G

MT48LC8M16A2TG-75:G

osa: 1704

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT45W4MW16PBA-70 WT

MT45W4MW16PBA-70 WT

osa: 5020

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
MT48LC32M8A2BB-75 IT:D

MT48LC32M8A2BB-75 IT:D

osa: 4016

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC16M8A2FB-7E:G

MT48LC16M8A2FB-7E:G

osa: 9717

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

osa: 105

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

Toivomuslista
MT28F640J3BS-115 GMET

MT28F640J3BS-115 GMET

osa: 3310

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Toivomuslista
MT48LC8M32LFF5-8 IT

MT48LC8M32LFF5-8 IT

osa: 4339

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46V128M4P-6T:D TR

MT46V128M4P-6T:D TR

osa: 5473

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC8M16A2P-7E IT:G

MT48LC8M16A2P-7E IT:G

osa: 1645

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

osa: 67

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (2M x 32), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista
MT45W4MW16BFB-708 WT F

MT45W4MW16BFB-708 WT F

osa: 4996

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
MT28F004B5VG-8 B

MT28F004B5VG-8 B

osa: 1723

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT28F008B5VG-8 B

MT28F008B5VG-8 B

osa: 2068

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT48V8M32LFB5-10

MT48V8M32LFB5-10

osa: 4403

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
M29W640FB70ZA6E

M29W640FB70ZA6E

osa: 8508

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

Toivomuslista
MT28F400B3SG-8 TET TR

MT28F400B3SG-8 TET TR

osa: 2833

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT28F400B5WP-8 T

MT28F400B5WP-8 T

osa: 3319

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT48LC8M16LFB4-8:G TR

MT48LC8M16LFB4-8:G TR

osa: 1926

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC8M16LFB4-10:G

MT48LC8M16LFB4-10:G

osa: 1868

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista