Muisti

MT47H64M16B7-5E:A TR

MT47H64M16B7-5E:A TR

osa: 9360

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

osa: 5076

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

osa: 594

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

osa: 238

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Tb (512G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

Toivomuslista
MT47H64M16B7-37E:A TR

MT47H64M16B7-37E:A TR

osa: 9387

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

osa: 106

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 6Tb (768G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

Toivomuslista
MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

osa: 832

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT47H128M8B7-37E L:A

MT47H128M8B7-37E L:A

osa: 9293

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H128M8B7-5E:A TR

MT47H128M8B7-5E:A TR

osa: 9211

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

osa: 648

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H64M8B6-3 IT:D TR

MT47H64M8B6-3 IT:D TR

osa: 670

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

osa: 691

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H64M8B6-37E:D TR

MT47H64M8B6-37E:D TR

osa: 620

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H64M8B6-25E:D TR

MT47H64M8B6-25E:D TR

osa: 614

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H256M4B7-37E:A TR

MT47H256M4B7-37E:A TR

osa: 9156

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (256M x 4), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

osa: 543

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

osa: 873

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

osa: 173

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 6Tb (768G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

Toivomuslista
MT47H32M16BN-25E IT:D TR

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

osa: 5153

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H64M16BT-3:A TR

MT47H64M16BT-3:A TR

osa: 5088

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

osa: 126

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 6Tb (768G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

Toivomuslista
MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

osa: 115

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Tb (512G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

Toivomuslista
MT47H128M8B7-5E L:A

MT47H128M8B7-5E L:A

osa: 9239

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT28F400B3WG-8 T

MT28F400B3WG-8 T

osa: 2960

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

osa: 403

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR

MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR

osa: 1822

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT47H32M16CC-37E:B

MT47H32M16CC-37E:B

osa: 8453

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT28F400B3SG-8 B TR

MT28F400B3SG-8 B TR

osa: 2776

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT48H8M32LFB5-10 IT TR

MT48H8M32LFB5-10 IT TR

osa: 9249

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 100MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT28F400B5WG-8 T

MT28F400B5WG-8 T

osa: 3159

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT28F800B5SG-8 B TR

MT28F800B5SG-8 B TR

osa: 4110

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 80ns,

Toivomuslista
MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G

MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G

osa: 1652

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

osa: 833

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

Toivomuslista
MT48V8M32LFF5-8 IT TR

MT48V8M32LFF5-8 IT TR

osa: 3749

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPSDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 125MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

Toivomuslista
MT48LC32M8A2TG-6A:D

MT48LC32M8A2TG-6A:D

osa: 465

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

Toivomuslista